г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON7264E Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON7264E
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CHANNEL 60V 28A 8DFN, N-Channel 60 V 28A (Tc) 27.5W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)

Цена
47 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON7264E.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
60 V
28A (Tc)
9.5mOhm @ 17A, 10V
2.4V @ 250µA
25 nC @ 10 V
1100 pF @ 30 V
4.5V, 10V
±20V
8-DFN-EP (3x3)
8-PowerVDFN
-55°C ~ 150°C (TJ)
AlphaSGT™
Tape & Reel (TR)
Active
Surface Mount
AON7264
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
5,000
27.5W (Tc)

AON7264E является MOSFET-транзистором с полярностью N. Он производится компанией Alpha & Omega Semiconductor и имеет тип корпуса DFN3X3EP.
Некоторые характеристики этого транзистора включают:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 27.5 Вт. Это означает, что транзистор может безопасно рассеивать до 27.5 Вт тепла при нормальных условиях работы.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 60 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2.4 В. Это напряжение необходимо приложить между затвором и истоком, чтобы транзистор начал проводить ток.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 28 А. Это максимальный ток, который может протекать через сток источника транзистора.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная температура, которую может выдержать канал транзистора без повреждения.
Транзистор AON7264E предназначен для использования в различных электронных устройствах и схемах, где требуется управление высокими токами и напряжениями. Он может быть использован в силовых источниках, инверторах, электронных ключах и других подобных приложениях.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: HFA06PB120
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 6A TO247AC, Diode Standard 1200 V 6A Through Hole TO-247AC Modified
Подробнее
Артикул: KBP210G
Бренд: GeneSiC Semiconductor
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A KBP, Bridge Rectifier Single Phase Standard 1 kV Through Hole KBP
Подробнее
Артикул: TIP35C
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 100V 25A TO218AC, Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 25 A 3MHz 125 W Through Hole SOT-93
Подробнее
Артикул: STTH12R06D
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE GEN PURP 600V 12A TO220AC, Diode Standard 600 V 12A Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: IXGH16N170
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 1700V 32A 190W TO247AD, IGBT NPT 1700 V 32 A 190 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: BC858C
Бренд: Infineon Technologies
Описание: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 150MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее