г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON7264E Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON7264E
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CHANNEL 60V 28A 8DFN, N-Channel 60 V 28A (Tc) 27.5W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)

Цена
47 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON7264E.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
60 V
28A (Tc)
9.5mOhm @ 17A, 10V
2.4V @ 250µA
25 nC @ 10 V
1100 pF @ 30 V
4.5V, 10V
±20V
8-DFN-EP (3x3)
8-PowerVDFN
-55°C ~ 150°C (TJ)
AlphaSGT™
Tape & Reel (TR)
Active
Surface Mount
AON7264
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
5,000
27.5W (Tc)

AON7264E является MOSFET-транзистором с полярностью N. Он производится компанией Alpha & Omega Semiconductor и имеет тип корпуса DFN3X3EP.
Некоторые характеристики этого транзистора включают:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 27.5 Вт. Это означает, что транзистор может безопасно рассеивать до 27.5 Вт тепла при нормальных условиях работы.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 60 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2.4 В. Это напряжение необходимо приложить между затвором и истоком, чтобы транзистор начал проводить ток.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 28 А. Это максимальный ток, который может протекать через сток источника транзистора.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная температура, которую может выдержать канал транзистора без повреждения.
Транзистор AON7264E предназначен для использования в различных электронных устройствах и схемах, где требуется управление высокими токами и напряжениями. Он может быть использован в силовых источниках, инверторах, электронных ключах и других подобных приложениях.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: EGP30D
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD, Diode Standard 200 V 3A Through Hole DO-201AD
Подробнее
Артикул: 1261-25-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNO FINISH - NYLON5/8, Round Spacer Unthreaded - Nylon 1.063" (27.00mm) 1 1/16" -
Подробнее
Артикул: FGH60N60SMD-F085
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 600V 120A 600W TO247, IGBT Field Stop 600 V 120 A 600 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: 1N2025
Бренд: Solid State
Описание: DO5 40 AMP SILICON RECTFIER, Diode Standard 400 V 40A Stud Mount DO-5
Подробнее
Артикул: NSR0240P2T5G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOD923, Diode Schottky 40 V 200mA (DC) Surface Mount SOD-923
Подробнее
Артикул: SPD03N60C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252, N-Channel 600 V 3.2A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Подробнее