г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON7403 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON7403
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET P-CH 30V 11A/29A 8DFN, P-Channel 30 V 11A (Ta), 29A (Tc) 3.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)

Цена
78 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON7403.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
P-Channel
-
30 V
11A (Ta), 29A (Tc)
18mOhm @ 8A, 10V
3V @ 250µA
24 nC @ 15 V
1400 pF @ 15 V
5V, 10V
±25V
8-DFN-EP (3x3)
8-PowerVDFN
785-1303-2,785-1303-1,785-1303-6
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Obsolete
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
5,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
3.1W (Ta), 25W (Tc)

AON7403 - это транзистор, который принадлежит категории P-MOSFET и производится компанией Alpha & Omega Semiconductor. Вот некоторая информация о данном транзисторе:
1. Тип: P-MOSFET (P-канальный транзистор с изолированным затвором).
2. Напряжение затвор-исток (VGS): -30 В. Это означает, что максимальное напряжение, которое можно применить между затвором и истоком, составляет -30 В.
3. Ток стока (ID): -18 А. Это максимальный ток, который может протекать через сток (исток) транзистора при определенных условиях.
4. Мощность: 10 Вт. Это максимальная мощность, которую транзистор может выдержать без перегрева.
5. Корпус: DFN3x3 EP. Это типовой корпус транзистора, который соответствует размеру 3x3 мм и имеет эффективную защиту от электростатического разряда (ESD protection).
Транзисторы P-MOSFET широко используются в электронных схемах для управления электрическими сигналами и коммутации мощности. Их основными характеристиками являются низкое сопротивление при включенном состоянии и высокое сопротивление при выключенном состоянии. Транзистор AON7403 специально разработан для работы с отрицательным напряжением затвор-исток и обладает высокими значениями тока стока и мощности.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1N967B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 18V 500MW DO35, Zener Diode 18 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: 1260-8-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN STEEL5/8 RD X, Round Spacer Unthreaded - Steel 1.000" (25.40mm) 1" -
Подробнее
Артикул: MMBT3640-ON
Бренд: onsemi
Описание: 0.2A, 12V, PNP, Bipolar (BJT) Transistor PNP 12 V 200 mA 500MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: FDMS8026S
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 30V 19A/22A 8PQFN, N-Channel 30 V 19A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Подробнее
Артикул: 2N7002KA
Бренд: Rectron
Описание: MOSFET N-CHANNEL 60V 115MA SOT23, N-Channel 60 V 115mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23
Подробнее
Артикул: BCW61C
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 32 V 100 mA 100MHz 250 mW Surface Mount SOT-23
Подробнее