г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON7403 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON7403
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET P-CH 30V 11A/29A 8DFN, P-Channel 30 V 11A (Ta), 29A (Tc) 3.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)

Цена
78 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON7403.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
P-Channel
-
30 V
11A (Ta), 29A (Tc)
18mOhm @ 8A, 10V
3V @ 250µA
24 nC @ 15 V
1400 pF @ 15 V
5V, 10V
±25V
8-DFN-EP (3x3)
8-PowerVDFN
785-1303-2,785-1303-1,785-1303-6
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Obsolete
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
5,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
3.1W (Ta), 25W (Tc)

AON7403 - это транзистор, который принадлежит категории P-MOSFET и производится компанией Alpha & Omega Semiconductor. Вот некоторая информация о данном транзисторе:
1. Тип: P-MOSFET (P-канальный транзистор с изолированным затвором).
2. Напряжение затвор-исток (VGS): -30 В. Это означает, что максимальное напряжение, которое можно применить между затвором и истоком, составляет -30 В.
3. Ток стока (ID): -18 А. Это максимальный ток, который может протекать через сток (исток) транзистора при определенных условиях.
4. Мощность: 10 Вт. Это максимальная мощность, которую транзистор может выдержать без перегрева.
5. Корпус: DFN3x3 EP. Это типовой корпус транзистора, который соответствует размеру 3x3 мм и имеет эффективную защиту от электростатического разряда (ESD protection).
Транзисторы P-MOSFET широко используются в электронных схемах для управления электрическими сигналами и коммутации мощности. Их основными характеристиками являются низкое сопротивление при включенном состоянии и высокое сопротивление при выключенном состоянии. Транзистор AON7403 специально разработан для работы с отрицательным напряжением затвор-исток и обладает высокими значениями тока стока и мощности.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MS2321
Бренд: Microsemi
Описание: RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M105, RF Transistor NPN 65V 1.5A 1.025GHz ~ 1.15GHz 87.5W Chassis Mount M105
Подробнее
Артикул: 2N7000-D26Z
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI, N-Channel 60 V 200mA (Ta) 400mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: ZVP2106A
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3, P-Channel 60 V 280mA (Ta) 700mW (Ta) Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: JANTX1N5802
Бренд: Semtech
Описание: D MET 2.5A SFST 50V HR 2FFX, Diode Standard 50 V 3.3A Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: 1N4553B
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE ZENER 5.6V 500MW DO5, Zener Diode 5.6 V 500 mW ±5% Chassis, Stud Mount DO-5
Подробнее
Артикул: IRF640NSTRLPBF
Бренд: International Rectifier
Описание: HEXFET POWER MOSFET, N-Channel 200 V 18A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее