г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON7410 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON7410
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 30V 9.5A/24A 8DFN, N-Channel 30 V 9.5A (Ta), 24A (Tc) 3.1W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)

Цена
78 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON7410.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
30 V
9.5A (Ta), 24A (Tc)
20mOhm @ 8A, 10V
2.5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
660 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±20V
8-DFN-EP (3x3)
8-PowerVDFN
785-1581-1,785-1581-2,785-1581-6,AON7410-ND
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Not For New Designs
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
5,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
3.1W (Ta), 20W (Tc)

AON7410 является MOSFET-транзистором с полярностью N. Он представляет собой компонент электронной схемы, который обладает рядом характеристик и параметров.
Вот некоторые из основных характеристик AON7410:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 Вт. Это означает, что транзистор может безопасно рассеивать тепло при работе с мощностью, не превышающей 20 Вт.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое можно применить между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 В. Это максимальное напряжение между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2.5 В. Это напряжение, при котором транзистор начинает открываться и пропускать ток от стока к истоку.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 24 А. Это максимальный постоянный ток, который может протекать через транзистор от стока к истоку.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная рабочая температура, при которой транзистор может надежно функционировать.
7. Время нарастания (tr): 3.2 нс. Это время, за которое выходной сигнал транзистора изменяется от 10% до 90% от его установившегося значения при изменении входного сигнала.
Все эти характеристики и параметры товара AON7410 определяют его возможности и ограничения при использовании в различных электронных схемах.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: STW18NM60N
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3, N-Channel 600 V 13A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: SIR178DP-T1-RE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 20V 100A/430A PPAK, N-Channel 20 V 100A (Ta), 430A (Tc) 6.3W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Подробнее
Артикул: FMX-22S
Бренд: Sanken
Описание: DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220-3, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200 V 10A Through Hole TO-220-3 Full Pack
Подробнее
Артикул: NVMFS4C05NT3G
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 30V 24.7A/116A 5DFN, N-Channel 30 V 24.7A (Ta), 116A (Tc) 3.61W (Ta), 79W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Подробнее
Артикул: SS1H10-E3/5AT
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AC, Diode Schottky 100 V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Подробнее
Артикул: 1571-C-3-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SWAGE SPACERPLAIN BRASS1/4 H, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.750" (19.05mm) 3/4" -
Подробнее