г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON7418 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON7418
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 30V 46A/50A 8DFN, N-Channel 30 V 46A (Ta), 50A (Tc) 6.2W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3.3x3.3)

Цена
198 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON7418.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
30 V
46A (Ta), 50A (Tc)
1.7mOhm @ 20A, 10V
2.2V @ 250µA
65 nC @ 10 V
2994 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±20V
8-DFN-EP (3.3x3.3)
8-PowerWDFN
785-1308-2,785-1308-6,785-1308-1
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Not For New Designs
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
6.2W (Ta), 83W (Tc)

AON7418 относится к транзистору MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) компании Alpha & Omega Semiconductor. Этот транзистор имеет следующие характеристики:
1. Максимальная потеря мощности (Pd): 83 Вт. Это максимальная мощность, которую транзистор может потерять в виде тепла без повреждения.
2. Максимальное напряжение стока-исток (|Vds|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Максимальное напряжение затвор-исток (|Vgs|): 20 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Максимальное напряжение порога затвора (|Vgs(th)|): 2.2 В. Это напряжение, при котором начинается проводимость между стоком и истоком транзистора.
5. Максимальный дренажный ток (|Id|): 50 А. Это максимальный ток, который может протекать через транзистор при заданных условиях.
6. Максимальная рабочая температура перехода (Tj): 150 °C. Это максимальная температура, которую транзистор может выдержать во время работы.
Транзистор AON7418 MOSFET предназначен для использования в различных электронных устройствах, где требуется управление большими токами и высокие коммутационные характеристики.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BF245B
Бренд: onsemi
Описание: JFET N-CH 30V 100MA TO92, RF Mosfet N-Channel JFET - - - TO-92 (TO-226)
Подробнее
Артикул: 1297-12-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN BRASS3/4 RD X, Round Spacer Unthreaded - Brass 1.375" (34.93mm) 1 3/8" -
Подробнее
Артикул: DMP3099L-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23, P-Channel 30 V 3.8A (Ta) 1.08W (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: 1139-8-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNO FINISH - NYLON1/4, Round Spacer Unthreaded - Nylon 1.188" (30.18mm) 1 3/16" -
Подробнее
Артикул: 8TQ080S
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 80V 8A D2PAK, Diode Schottky 80 V 8A Surface Mount TO-263AB (D?PAK)
Подробнее
Артикул: SQM50P06-15L_GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CHANNEL 60V 50A TO263, P-Channel 60 V 50A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D?Pak)
Подробнее