г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON7418 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON7418
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 30V 46A/50A 8DFN, N-Channel 30 V 46A (Ta), 50A (Tc) 6.2W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3.3x3.3)

Цена
198 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON7418.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
30 V
46A (Ta), 50A (Tc)
1.7mOhm @ 20A, 10V
2.2V @ 250µA
65 nC @ 10 V
2994 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±20V
8-DFN-EP (3.3x3.3)
8-PowerWDFN
785-1308-2,785-1308-6,785-1308-1
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Not For New Designs
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
6.2W (Ta), 83W (Tc)

AON7418 относится к транзистору MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) компании Alpha & Omega Semiconductor. Этот транзистор имеет следующие характеристики:
1. Максимальная потеря мощности (Pd): 83 Вт. Это максимальная мощность, которую транзистор может потерять в виде тепла без повреждения.
2. Максимальное напряжение стока-исток (|Vds|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Максимальное напряжение затвор-исток (|Vgs|): 20 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Максимальное напряжение порога затвора (|Vgs(th)|): 2.2 В. Это напряжение, при котором начинается проводимость между стоком и истоком транзистора.
5. Максимальный дренажный ток (|Id|): 50 А. Это максимальный ток, который может протекать через транзистор при заданных условиях.
6. Максимальная рабочая температура перехода (Tj): 150 °C. Это максимальная температура, которую транзистор может выдержать во время работы.
Транзистор AON7418 MOSFET предназначен для использования в различных электронных устройствах, где требуется управление большими токами и высокие коммутационные характеристики.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: SIHG47N60EF-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC, N-Channel 600 V 47A (Tc) 379W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF1010NSPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK, N-Channel 55 V 85A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: 1N5382B
Бренд: Rectron
Описание: DIODE ZENER 140V 5W DO-15, Zener Diode 140 V 5 W ±5% Through Hole DO-15
Подробнее
Артикул: SPP11N80C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3, N-Channel 800 V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: MCL-16-A
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 16 MM ALUMINUM SHAFT COLLAR,
Подробнее
Артикул: MBR30200CT
Бренд: SMC Diode Solutions
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO220, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200 V - Through Hole TO-220-3
Подробнее