г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON7422E Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON7422E
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 30V 20A/40A 8DFN, N-Channel 30 V 20A (Ta), 40A (Tc) 3.1W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)

Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON7422E.jpg
N-Channel
-
30 V
20A (Ta), 40A (Tc)
4.3mOhm @ 20A, 10V
2.4V @ 250µA
50 nC @ 10 V
2940 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±20V
MOSFET (Metal Oxide)
8-DFN-EP (3x3)
8-PowerVDFN
-
Tape & Reel (TR)
Obsolete
Surface Mount
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
5,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
3.1W (Ta), 36W (Tc)

AON7422E представляет собой мощный полевой транзистор, производимый компанией Alpha & Omega Semiconductor. Этот транзистор имеет различные технические характеристики, которые позволяют оценить его возможности и применение.
Вот основные технические характеристики транзистора AON7422E:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 36 W. Это означает, что транзистор может безопасно рассеивать до 36 ватт энергии.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 V. Это предельное значение напряжения между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 V. Это предельное значение напряжения между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 1.85 V. Это минимальное напряжение на затворе, необходимое для включения транзистора.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 40 A. Это максимальное значение постоянного тока, который может протекать через сток-исток транзистора.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная рабочая температура транзистора.
Транзистор AON7422E может использоваться в различных электронных приложениях, таких как источники питания, преобразователи энергии, коммутационные устройства и другие схемы, где требуется управление электрическим током.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: STF12NM60N
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP, N-Channel 600 V 10A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
Подробнее
Артикул: DURB1640CT
Бренд: Littelfuse
Описание: DIODE RECTIFIER 8A 400V TO263, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 400 V 8A Surface Mount TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Подробнее
Артикул: STD13003T4
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS NPN 400V 1.5A DPAK, Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 1.5 A - 20 W Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: MJE16004
Бренд: onsemi
Описание: MAX II POWER TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: DTC114ECAT116
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: TRANS PREBIAS NPN 200MW SST3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 50 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount SST3
Подробнее
Артикул: VS-HFA16TB120S-M3
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 16A D2PAK, Diode Standard 1200 V 16A (DC) Surface Mount TO-263AB (D?PAK)
Подробнее