г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON7422E Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON7422E
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 30V 20A/40A 8DFN, N-Channel 30 V 20A (Ta), 40A (Tc) 3.1W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)

Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON7422E.jpg
N-Channel
-
30 V
20A (Ta), 40A (Tc)
4.3mOhm @ 20A, 10V
2.4V @ 250µA
50 nC @ 10 V
2940 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±20V
MOSFET (Metal Oxide)
8-DFN-EP (3x3)
8-PowerVDFN
-
Tape & Reel (TR)
Obsolete
Surface Mount
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
5,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
3.1W (Ta), 36W (Tc)

AON7422E представляет собой мощный полевой транзистор, производимый компанией Alpha & Omega Semiconductor. Этот транзистор имеет различные технические характеристики, которые позволяют оценить его возможности и применение.
Вот основные технические характеристики транзистора AON7422E:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 36 W. Это означает, что транзистор может безопасно рассеивать до 36 ватт энергии.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 V. Это предельное значение напряжения между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 V. Это предельное значение напряжения между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 1.85 V. Это минимальное напряжение на затворе, необходимое для включения транзистора.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 40 A. Это максимальное значение постоянного тока, который может протекать через сток-исток транзистора.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная рабочая температура транзистора.
Транзистор AON7422E может использоваться в различных электронных приложениях, таких как источники питания, преобразователи энергии, коммутационные устройства и другие схемы, где требуется управление электрическим током.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: STD9NM60N
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK, N-Channel 600 V 6.5A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: IXFH40N30Q
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 300V 40A TO247AD, N-Channel 300 V 40A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Подробнее
Артикул: DTC143XUAT106
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount UMT3
Подробнее
Артикул: 1361-6-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN STEEL5/16 HEX X, Hex Spacer Unthreaded - Steel 0.125" (3.18mm) 1/8" -
Подробнее
Артикул: TO-102-090
Бренд: Bivar
Описание: SPACER RECT GEN PURP 0.090", Component Spacer General Purpose Rectangular 0.090" (2.29mm) Natural
Подробнее
Артикул: CSD17310Q5A
Бренд: Texas Instruments
Описание: MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON, N-Channel 30 V 21A (Ta), 100A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount 8-VSONP (5x6)
Подробнее