AON7508 Alpha & Omega Semiconductor

AON7508 представляет собой MOSFET транзистор с полярностью N. Он выпускается компанией Alpha & Omega Semiconductor и имеет тип корпуса DFN3X3EP.
Ниже представлены основные технические характеристики данного транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 62.5 Вт. Это означает, что транзистор способен выдерживать мощность до 62.5 Вт без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое может быть подано между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 В. Это максимальное напряжение, которое может быть подано между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2.2 В. Это напряжение, при котором транзистор начинает проводить ток от стока к истоку.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 32 А. Это максимальный постоянный ток, который может протекать через сток и исток транзистора.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная температура, которую может выдерживать канал транзистора без повреждения.
Таким образом, транзистор AON7508 MOSFET предназначен для использования в электронных схемах, где требуется управление электрическим током с помощью напряжения на затворе. Он обладает высокими максимальными значениями тока, мощности и напряжений, что делает его подходящим для различных приложений, таких как коммутация и усиление сигналов в электронных устройствах.