г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON7516 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON7516
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 30V 20A/30A 8DFN, N-Channel 30 V 20A (Ta), 30A (Tc) 3.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)

Цена
41 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON7516.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
30 V
20A (Ta), 30A (Tc)
4.5mOhm @ 20A, 10V
2.2V @ 250µA
33 nC @ 10 V
1229 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±20V
8-DFN-EP (3x3)
8-PowerVDFN
785-1403-2,785-1403-1,785-1403-6
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Not For New Designs
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
5,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
3.1W (Ta), 25W (Tc)

AON7516 представляет собой MOSFET-транзистор типа N. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) - это полевой транзистор, используемый в электронных устройствах для управления и усиления сигналов.
Транзистор имеет следующие характеристики:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W. Это максимальная мощность, которую транзистор может рассеивать без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.2 V. Это напряжение, необходимое для включения транзистора.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 30 A. Это максимальный ток, который может протекать через сток-исток транзистора.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная температура, которую транзистор может выдерживать без повреждений.
7. Время нарастания (tr): 4.8 ns. Это время, которое требуется для того, чтобы выходной сигнал транзистора достиг максимального значения при изменении входного сигнала.
8. Выходная емкость (Cd): 526 pf. Это емкость между стоком и затвором транзистора.
9. Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0045 Ohm. Это сопротивление между стоком и истоком транзистора при его полностью открытом состоянии.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRF8313TRPBF
Бренд: International Rectifier
Описание: IRF8313 - HEXFET POWER MOSFET, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9.7A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: 1357-2-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN STEEL1/4 HEX X 1, Hex Spacer Unthreaded - Steel 1.813" (46.04mm) -
Подробнее
Артикул: 1395-12-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON3/8 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 0.313" (7.94mm) -
Подробнее
Артикул: FDD8896
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA, N-Channel 30 V 17A (Ta), 94A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Подробнее
Артикул: 0596-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN STEEL5/16HD X, #6-32 Knob Panel Screw Slotted Drive Steel
Подробнее
Артикул: KBP206G
Бренд: GeneSiC Semiconductor
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBP, Bridge Rectifier Single Phase Standard 600 V Through Hole KBP
Подробнее