AON7516 Alpha & Omega Semiconductor

AON7516 представляет собой MOSFET-транзистор типа N. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) - это полевой транзистор, используемый в электронных устройствах для управления и усиления сигналов.
Транзистор имеет следующие характеристики:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W. Это максимальная мощность, которую транзистор может рассеивать без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.2 V. Это напряжение, необходимое для включения транзистора.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 30 A. Это максимальный ток, который может протекать через сток-исток транзистора.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная температура, которую транзистор может выдерживать без повреждений.
7. Время нарастания (tr): 4.8 ns. Это время, которое требуется для того, чтобы выходной сигнал транзистора достиг максимального значения при изменении входного сигнала.
8. Выходная емкость (Cd): 526 pf. Это емкость между стоком и затвором транзистора.
9. Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0045 Ohm. Это сопротивление между стоком и истоком транзистора при его полностью открытом состоянии.