г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON7522E Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON7522E
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 30V 21A/34A 8DFN, N-Channel 30 V 21A (Ta), 34A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)

Цена
103 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON7522E.jpg
8-DFN-EP (3x3)
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
30 V
21A (Ta), 34A (Tc)
4mOhm @ 20A, 10V
2.2V @ 250µA
45 nC @ 10 V
1540 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±20V
8-PowerVDFN
785-1505-2,785-1505-1,785-1505-6
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
AON7522
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
5,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
3.1W (Ta), 31W (Tc)

AON7522E является MOSFET-транзистором, который производится компанией Alpha & Omega Semiconductor. Он относится к типу транзисторов с полярностью N, что означает, что у него отрицательный заряд на затворе управляет током между стоком и истоком.
Вот некоторые характеристики этого транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 31 W. Это означает, что транзистор может безопасно распылять до 31 ватта мощности, прежде чем возникают проблемы с перегревом.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 V. Это означает, что максимальное напряжение между стоком и истоком не должно превышать 30 вольт.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 V. Это ограничивает максимальное напряжение между затвором и истоком до 20 вольт.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2.2 V. Это минимальное напряжение, необходимое для включения транзистора и установки его в рабочем состоянии.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 34 A. Это означает, что транзистор может безопасно передавать ток до 34 ампер.
Транзистор AON7522E предназначен для широкого спектра применений, включая усилительные и коммутационные схемы, и может быть использован в различных электронных устройствах, таких как источники питания, инверторы, DC-DC преобразователи и другие.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: SPD15N06S2L-64
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3, N-Channel 55 V 19A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Подробнее
Артикул: SIR172DP-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8, N-Channel 30 V 20A (Tc) 29.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Подробнее
Артикул: 1N5406-TP
Бренд: Micro Commercial
Описание: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD, Diode Standard 600 V 3A Through Hole DO-201AD
Подробнее
Артикул: NDF04N60ZH
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 600V 4.8A TO220FP, N-Channel 600 V 4.8A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220-2 Full Pack
Подробнее
Артикул: IRFPG30
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO247-3, N-Channel 1000 V 3.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF60B217
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB, N-Channel 60 V 60A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее