г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON7534 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON7534
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 30V 20A/30A 8DFN, N-Channel 30 V 20A (Ta), 30A (Tc) 3W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)

Цена
114 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON7534.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
30 V
20A (Ta), 30A (Tc)
5mOhm @ 20A, 10V
2.2V @ 250µA
22 nC @ 10 V
1037 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±20V
8-DFN-EP (3x3)
8-PowerVDFN
785-1604-2,785-1604-1,785-1604-6,AON7534_105
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
5,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
3W (Ta), 23W (Tc)

AON7534 является транзистором MOSFET с полярностью N. Он производится компанией Alpha & Omega Semiconductor и упаковывается в корпус типа DFN3X3EP.
Ниже приведены основные характеристики этого транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 23 W. Это означает, что транзистор может безопасно рассеивать до 23 ватт энергии.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 V. Это ограничение указывает на максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 V. Это ограничение определяет максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2.2 V. Это значение указывает на минимальное напряжение на затворе, при котором транзистор начинает проводить.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 30 A. Это ограничение определяет максимальный ток, который может протекать через транзистор.
Все эти характеристики важны для правильного использования транзистора в электронных схемах, и они определяют его возможности и ограничения.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BC549C
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 30V 0.1A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 100 mA 250MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее
Артикул: IKW25T120
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IKW25T120 - DISCRETE IGBT WITH A, IGBT
Подробнее
Артикул: MRFE6VP8600HSR6
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230S, RF Mosfet LDMOS (Dual) 50 V 1.4 A 860MHz 19.3dB 125W NI-1230S
Подробнее
Артикул: MGD623N
Бренд: Sanken
Описание: IGBT 600V 50A 150W TO3P, IGBT - 600 V 50 A 150 W Through Hole TO-3P
Подробнее
Артикул: ZC2811ETA
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE SCHOTTKY 15V 20MA SOT23-3, Diode Schottky 15 V 20mA (DC) Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: 0569-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN STEEL1/4HD X, #4-40 Knob Panel Screw Slotted Drive Steel
Подробнее