г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON7702 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON7702
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 30V 13.5A/36A 8DFN, N-Channel 30 V 13.5A (Ta), 36A (Tc) 3.1W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)

Цена
84 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON7702.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
Schottky Diode (Body)
30 V
13.5A (Ta), 36A (Tc)
10mOhm @ 13.5A, 10V
3V @ 250µA
48 nC @ 10 V
4250 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±20V
8-DFN-EP (3x3)
8-PowerVDFN
SRFET™
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Obsolete
Surface Mount
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
5,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
785-1139-6,785-1139-2,785-1139-1
3.1W (Ta), 23W (Tc)

AON7702 является транзистором MOSFET, который производится компанией Alpha & Omega Semiconductor. Ниже приведены основные характеристики этого транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 Вт. Это означает, что транзистор может безопасно расеивать до 35 Вт энергии в виде тепла.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 3 В. Это напряжение, необходимое для включения транзистора и начала проводимости между стоком и истоком.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 40 А. Это максимальный постоянный ток, который может протекать через транзистор при заданных условиях работы.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная рабочая температура, при которой транзистор может надежно функционировать.
Этот транзистор может быть использован в различных электронных устройствах и приложениях, где требуется управление и усиление сигналов, управление мощностью и другие задачи, связанные с коммутацией и управлением током.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: GBU610
Бренд: MDD
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A GBU, Bridge Rectifier Single Phase Standard 1 kV Through Hole GBU
Подробнее
Артикул: 1377-4-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON5/16, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 1.125" (28.58mm) 1 1/8" -
Подробнее
Артикул: 2N4912
Бренд: Microchip Technology
Описание: NPN SILICON TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 4 A - 25 W Through Hole TO-66 (TO-213AA)
Подробнее
Артикул: STD14NM50N
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 500V 12A DPAK, N-Channel 500 V 12A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: FJP5027RTU
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 800V 3A TO220-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 800 V 3 A 15MHz 50 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 2BZX84C3V9
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: ZENER SOT-23 3.9V 0.3W 5%, Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 3.9 V 300 mW ±5% SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее