г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON7702 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON7702
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 30V 13.5A/36A 8DFN, N-Channel 30 V 13.5A (Ta), 36A (Tc) 3.1W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)

Цена
84 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON7702.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
Schottky Diode (Body)
30 V
13.5A (Ta), 36A (Tc)
10mOhm @ 13.5A, 10V
3V @ 250µA
48 nC @ 10 V
4250 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±20V
8-DFN-EP (3x3)
8-PowerVDFN
SRFET™
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Obsolete
Surface Mount
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
5,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
785-1139-6,785-1139-2,785-1139-1
3.1W (Ta), 23W (Tc)

AON7702 является транзистором MOSFET, который производится компанией Alpha & Omega Semiconductor. Ниже приведены основные характеристики этого транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 Вт. Это означает, что транзистор может безопасно расеивать до 35 Вт энергии в виде тепла.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 3 В. Это напряжение, необходимое для включения транзистора и начала проводимости между стоком и истоком.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 40 А. Это максимальный постоянный ток, который может протекать через транзистор при заданных условиях работы.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная рабочая температура, при которой транзистор может надежно функционировать.
Этот транзистор может быть использован в различных электронных устройствах и приложениях, где требуется управление и усиление сигналов, управление мощностью и другие задачи, связанные с коммутацией и управлением током.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BF422G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 250V 0.05A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 50 mA 60MHz 830 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее
Артикул: IXER35N120D1
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 1200V 50A 200W TO247, IGBT NPT 1200 V 50 A 200 W Through Hole ISOPLUS247™
Подробнее
Артикул: 7201-AL
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: THUMBSCREWPLAIN ALUMINUM5/16HD X, 1/4"-20 Knob Thumb Screw - Drive Aluminum
Подробнее
Артикул: STW42N65M5
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3, N-Channel 650 V 33A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: MMBT3906
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 200 mA 250MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: FQPF1P50
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 500V 1.03A TO220F, P-Channel 500 V 1.03A (Tc) 28W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Подробнее