г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON7702 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON7702
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 30V 13.5A/36A 8DFN, N-Channel 30 V 13.5A (Ta), 36A (Tc) 3.1W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)

Цена
84 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON7702.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
Schottky Diode (Body)
30 V
13.5A (Ta), 36A (Tc)
10mOhm @ 13.5A, 10V
3V @ 250µA
48 nC @ 10 V
4250 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±20V
8-DFN-EP (3x3)
8-PowerVDFN
SRFET™
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Obsolete
Surface Mount
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
5,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
785-1139-6,785-1139-2,785-1139-1
3.1W (Ta), 23W (Tc)

AON7702 является транзистором MOSFET, который производится компанией Alpha & Omega Semiconductor. Ниже приведены основные характеристики этого транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 Вт. Это означает, что транзистор может безопасно расеивать до 35 Вт энергии в виде тепла.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 3 В. Это напряжение, необходимое для включения транзистора и начала проводимости между стоком и истоком.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 40 А. Это максимальный постоянный ток, который может протекать через транзистор при заданных условиях работы.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная рабочая температура, при которой транзистор может надежно функционировать.
Этот транзистор может быть использован в различных электронных устройствах и приложениях, где требуется управление и усиление сигналов, управление мощностью и другие задачи, связанные с коммутацией и управлением током.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: PMSTA06,115
Бренд: Nexperia
Описание: TRANS NPN 80V 500MA SOT323, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 500 mA 100MHz 200 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: STD35NF06LT4
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 60V 35A DPAK, N-Channel 60 V 35A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: MIXA450PF1200TSF
Бренд: IXYS
Описание: IGBT MOD 1200V 650A 2100W, IGBT Module PT Half Bridge 1200 V 650 A 2100 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IXBH42N170A
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 1700V 42A 357W TO247, IGBT - 1700 V 42 A 357 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: 1SNA176278R1600
Бренд: TE Connectivity
Описание: BJMI5-2,
Подробнее
Артикул: IRL540
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB, N-Channel 100 V 28A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее