г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON7788 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON7788
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 30V 20A/40A 8DFN, N-Channel 30 V 20A (Ta), 40A (Tc) 3.1W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)

Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON7788.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
Schottky Diode (Body)
30 V
20A (Ta), 40A (Tc)
4.5mOhm @ 20A, 10V
2V @ 250µA
29 nC @ 10 V
4100 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±12V
8-DFN-EP (3x3)
8-PowerVDFN
SRFET™
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Obsolete
Surface Mount
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
5,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
785-1406-2,785-1406-1,785-1406-6
3.1W (Ta), 36W (Tc)

AON7788 - это MOSFET (металлокислородный полупроводниковый транзистор) с типом управляющего канала N-Channel (N-канал). Он производится компанией Alpha & Omega Semiconductor и упаковывается в корпус DFN3X3EP.
Ниже приведены некоторые характеристики этого транзистора:
1. Максимальная потеря мощности (Pd): 36 Вт. Это означает, что транзистор может выдерживать мощность до 36 Вт без перегрева.
2. Максимальное напряжение стока-исток (|Vds|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое можно применить между стоком и истоком транзистора.
3. Максимальное напряжение затвор-исток (|Vgs|): 12 В. Это максимальное напряжение, которое можно применить между затвором и истоком транзистора.
4. Максимальное пороговое напряжение затвор-исток (|Vgs(th)|): 2 В. Это напряжение определяет уровень, при котором транзистор начинает открываться и пропускать ток от стока к истоку.
5. Максимальный ток стока (|Id|): 40 А. Это максимальный ток, который транзистор может переносить от стока к истоку при заданных условиях.
6. Максимальная рабочая температура перехода (Tj): 150 °C. Это максимальная температура, которую транзистор может выдерживать без повреждения.
Эти характеристики позволяют оценить возможности и пределы применения транзистора AON7788 в различных электронных схемах и устройствах, где требуется управление мощностью и работа с высокими токами и напряжениями.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: C6D10065A
Бренд: Wolfspeed
Описание: 10A 650V G6 ZREC SIC SCHOTTKY DI, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 37A (DC) Through Hole TO-220-2
Подробнее
Артикул: 1101-2-S-1
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERCADMIUM (COMMERCIAL), Round Spacer Unthreaded - Steel 0.188" (4.78mm) 3/16" -
Подробнее
Артикул: SI-A8000
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: HV DIODE D55X23 24000V 1.8A, Diode Standard 24000 V 1.8A Chassis Mount Hockey Puck
Подробнее
Артикул: BZX79C13
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 13V 500MW DO35, Zener Diode 13 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: 1433-8-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN STEEL1/2 HEX X 3, Hex Spacer Unthreaded - Steel 0.750" (19.05mm) 3/4" -
Подробнее
Артикул: 2N6286
Бренд: Microchip Technology
Описание: NPN TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее