г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON7932 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON7932
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET 2N-CH 30V 6.6A/8.1A 8DFN, Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 6.6A, 8.1A 1.4W Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)

Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
files/AON7932.jpg
8-DFN-EP (3x3)
1.4W
2 N-Channel (Half Bridge)
Logic Level Gate
30V
6.6A, 8.1A
20mOhm @ 6.6A, 10V
2.4V @ 250µA
6.5nC @ 10V
8-WDFN Exposed Pad
785-1407-1,785-1407-6,785-1407-2
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Obsolete
Surface Mount
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
5,000
460pF @ 15V

Описанный товар с артикулом AON7932 является транзистором типа MOSFET (МОП-транзистор). Он предназначен для работы в режиме N-канала (NN-Channel). Этот транзистор производится компанией Alpha & Omega Semiconductor.
Ниже представлены основные характеристики данного транзистора:
1. Максимальная потеря мощности (Pd): 23(25) Вт. Это указывает на максимально допустимую мощность, которую транзистор может поглотить без перегрева. В скобках указана мощность при определенных условиях.
2. Максимальное напряжение стока-исток (|Vds|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое можно применить между стоком и истоком транзистора.
3. Максимальное напряжение затвор-исток (|Vgs|): 20(12) В. Это максимальное напряжение, которое можно применить между затвором и истоком транзистора. В скобках указано значение для определенных условий.
4. Максимальное напряжение порога затвора (|Vgs(th)|): 2.4 В. Это значение указывает на напряжение, при котором начинается проводимость между истоком и стоком.
5. Максимальный ток стока (|Id|): 26(35) А. Это максимальный допустимый ток, который может протекать через сток-исток. В скобках указано значение для определенных условий.
Таким образом, транзистор AON7932 представляет собой N-канальный MOSFET, который может работать с максимальным напряжением стока-исток 30 В и максимальным током стока 26(35) А.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IPP09N03LA
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 25V 50A TO220-3, N-Channel 25 V 50A (Tc) 63W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: DAP202U
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC70-3, Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 80 V 100mA (DC) Surface Mount SC-70, SOT-323
Подробнее
Артикул: IRFS4310PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK, N-Channel 100 V 130A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: TIP42CTU
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 6 A 3MHz 2 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: WND60P16WQ
Бренд: WeEn Semiconductors
Описание: STANDARD POWER DIODE, Diode Standard 1600 V 60A Through Hole TO-247-2
Подробнее
Артикул: STPS20L45CG
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V D2PAK, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 45 V 10A Surface Mount TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Подробнее