г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON7932 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON7932
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET 2N-CH 30V 6.6A/8.1A 8DFN, Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 6.6A, 8.1A 1.4W Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)

Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
files/AON7932.jpg
8-DFN-EP (3x3)
1.4W
2 N-Channel (Half Bridge)
Logic Level Gate
30V
6.6A, 8.1A
20mOhm @ 6.6A, 10V
2.4V @ 250µA
6.5nC @ 10V
8-WDFN Exposed Pad
785-1407-1,785-1407-6,785-1407-2
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Obsolete
Surface Mount
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
5,000
460pF @ 15V

Описанный товар с артикулом AON7932 является транзистором типа MOSFET (МОП-транзистор). Он предназначен для работы в режиме N-канала (NN-Channel). Этот транзистор производится компанией Alpha & Omega Semiconductor.
Ниже представлены основные характеристики данного транзистора:
1. Максимальная потеря мощности (Pd): 23(25) Вт. Это указывает на максимально допустимую мощность, которую транзистор может поглотить без перегрева. В скобках указана мощность при определенных условиях.
2. Максимальное напряжение стока-исток (|Vds|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое можно применить между стоком и истоком транзистора.
3. Максимальное напряжение затвор-исток (|Vgs|): 20(12) В. Это максимальное напряжение, которое можно применить между затвором и истоком транзистора. В скобках указано значение для определенных условий.
4. Максимальное напряжение порога затвора (|Vgs(th)|): 2.4 В. Это значение указывает на напряжение, при котором начинается проводимость между истоком и стоком.
5. Максимальный ток стока (|Id|): 26(35) А. Это максимальный допустимый ток, который может протекать через сток-исток. В скобках указано значение для определенных условий.
Таким образом, транзистор AON7932 представляет собой N-канальный MOSFET, который может работать с максимальным напряжением стока-исток 30 В и максимальным током стока 26(35) А.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: NE5511279A-T1-A
Бренд: CEL
Описание: FET RF 20V 900MHZ 79A-PKG, RF Mosfet LDMOS 7.5 V 400 mA 900MHz 15dB 40dBm 79A
Подробнее
Артикул: 1380-4-AL
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN ALUMINUM5/16 HEX, Hex Spacer Unthreaded - Aluminum 1.313" (33.35mm) 1 5/16" -
Подробнее
Артикул: TC1000
Бренд: ABB Power Electronics
Описание: TC1000,
Подробнее
Артикул: 1574-F-2-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SWAGE SPACERPLAIN STEEL1/4 H, Hex Spacer Unthreaded - Steel 0.938" (23.83mm) 15/16" -
Подробнее
Артикул: 1124-2-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNO FINISH - NYLON1/4, Round Spacer Unthreaded - Nylon 0.250" (6.35mm) 1/4" -
Подробнее
Артикул: STP10NM60N
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB, N-Channel 600 V 10A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее