г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AONR21307 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AONR21307
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN, P-Channel 30 V 24A (Tc) 5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)

Цена
127 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AONR21307.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
P-Channel
-
30 V
24A (Tc)
11mOhm @ 17A, 10V
2.3V @ 250µA
50 nC @ 10 V
1995 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±25V
8-DFN-EP (3x3)
8-PowerVDFN
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
5,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
785-1796-6,785-1796-2,785-1796-1
5W (Ta), 28W (Tc)

AONR21307 является транзистором MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) типа P-канал. Он производится компанией Alpha & Omega Semiconductor и поставляется в корпусе DFN3X3.
Некоторые из основных характеристик этого транзистора включают в себя:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 28 Вт. Это означает, что транзистор может безопасно рассеивать до 28 ватт энергии, превышение которой может привести к повреждению устройства.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое можно применить между стоком и истоком транзистора без нанесения повреждений.
3. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2.3 В. Это минимальное напряжение, которое необходимо применить между затвором и истоком для активации транзистора и установки его в режиме работы.
4. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 24 А. Это максимальный постоянный ток, который может протекать через сток и исток транзистора без нанесения повреждений.
Применение транзистора MOSFET включает в себя такие области, как силовая электроника, источники питания, усилители, переключатели и другие электронные устройства. Благодаря низкому сопротивлению сток-исток (Rds) и высоким значениям тока стока (Id) и напряжения сток-исток (Uds), этот транзистор может обеспечить эффективное управление мощностью при низкой потере энергии.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: D44VH10
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 80V 15A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 15 A 50MHz 83 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: IRF7105PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 25V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: KBP404G
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: BRIDGE RECTIFIER KBP TUBE 35PCS, Bridge Rectifier Single Phase Standard 400 V Through Hole KBP
Подробнее
Артикул: MBR140HW
Бренд: SMC Diode Solutions
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123, Diode Schottky 40 V 1A (DC) Surface Mount SOD-123
Подробнее
Артикул: 11506A
Бренд: Essentra Components
Описание: UNF THREADED PROTECTION PLUG, CO, Hole Plug - Low-Density Polyethylene Red
Подробнее
Артикул: CLA50E1200HB
Бренд: IXYS
Описание: SCR 1.2KV 79A TO247AD, SCR 1.2 kV 79 A Standard Recovery Through Hole TO-247AD
Подробнее