г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AONR21307 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AONR21307
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN, P-Channel 30 V 24A (Tc) 5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)

Цена
127 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AONR21307.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
P-Channel
-
30 V
24A (Tc)
11mOhm @ 17A, 10V
2.3V @ 250µA
50 nC @ 10 V
1995 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±25V
8-DFN-EP (3x3)
8-PowerVDFN
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
5,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
785-1796-6,785-1796-2,785-1796-1
5W (Ta), 28W (Tc)

AONR21307 является транзистором MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) типа P-канал. Он производится компанией Alpha & Omega Semiconductor и поставляется в корпусе DFN3X3.
Некоторые из основных характеристик этого транзистора включают в себя:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 28 Вт. Это означает, что транзистор может безопасно рассеивать до 28 ватт энергии, превышение которой может привести к повреждению устройства.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое можно применить между стоком и истоком транзистора без нанесения повреждений.
3. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2.3 В. Это минимальное напряжение, которое необходимо применить между затвором и истоком для активации транзистора и установки его в режиме работы.
4. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 24 А. Это максимальный постоянный ток, который может протекать через сток и исток транзистора без нанесения повреждений.
Применение транзистора MOSFET включает в себя такие области, как силовая электроника, источники питания, усилители, переключатели и другие электронные устройства. Благодаря низкому сопротивлению сток-исток (Rds) и высоким значениям тока стока (Id) и напряжения сток-исток (Uds), этот транзистор может обеспечить эффективное управление мощностью при низкой потере энергии.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: SI4483ADY-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 30V 19.2A 8SO, P-Channel 30 V 19.2A (Tc) 2.9W (Ta), 5.9W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: MJE18002G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 450V 2A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN 450 V 2 A 13MHz 50 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: 0623-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN BRASS1/2HD X, #8-32 Knob Panel Screw Slotted Drive Brass
Подробнее
Артикул: 2N4919
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 60V 1A TO-225AA, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 1 A 3MHz 30 W Through Hole TO-126
Подробнее
Артикул: MCC501-18IO2
Бренд: IXYS
Описание: SCR THY PHASE LEG 1800V WC-501, SCR Module 1.8 kV Series Connection - All SCRs Chassis Mount WC-501
Подробнее
Артикул: STTH4R02U
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE GEN PURP 200V 4A SMB, Diode Standard 200 V 4A Surface Mount SMB
Подробнее