AONR21321 Alpha & Omega Semiconductor

AONR21321 является MOSFET-транзистором с полярностью P. Он принадлежит к серии транзисторов, производимых компанией Alpha & Omega Semiconductor, и имеет корпус типа DFN3X3.
Ниже приведены основные технические характеристики этого транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 4.1 Вт. Это ограничение указывает на максимальную мощность, которую транзистор может безопасно рассеивать в виде тепла.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора без повреждения.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 25 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора без повреждения.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2.3 В. Это напряжение, необходимое для включения транзистора и установления проводимости между стоком и истоком.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 13 А. Это максимальный ток, который может протекать через сток-исток транзистора при заданных условиях работы.
MOSFET-транзисторы широко используются в электронике и силовых приложениях, таких как усилители, источники питания, преобразователи напряжения и другие.