г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AONR32320C Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AONR32320C
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 30V 9.5A/12A 8DFN, N-Channel 30 V 9.5A (Ta), 12A (Tc) 3.1W (Ta), 11W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)

Цена
79 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AONR32320C.jpg
8-DFN-EP (3x3)
N-Channel
-
30 V
9.5A (Ta), 12A (Tc)
21mOhm @ 9.5A, 10V
2.3V @ 250µA
20 nC @ 10 V
650 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±20V
MOSFET (Metal Oxide)
ROHS3 Compliant
8-PowerVDFN
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
AONR32320
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
785-AONR32320CDKR,785-AONR32320CCT,785-AONR32320CTR
5,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
3.1W (Ta), 11W (Tc)

AONR32320C представляет собой N-канальный MOSFET транзистор, производимый компанией Alpha & Omega Semiconductor. Этот транзистор предназначен для использования в электронных устройствах и системах, где требуется управление и коммутация высоких токов.
Основные технические характеристики:
1. Напряжение сток-исток (Vds): 30 В
2. Ток стока (Ta) (номинальный): 9.5 А
3. Ток стока (Tc) (максимальный): 12 А
4. Мощность (Ta): 3.1 Вт
5. Мощность (Tc): 11 Вт
6. Корпус: поверхностный монтаж 8-DFN-EP (3x3)
Транзистор AONR32320C представляет собой N-канальный MOSFET с высокой эффективностью и низким внутренним сопротивлением, что позволяет ему обеспечивать хорошую производительность при коммутации высоких токов. Он может использоваться в различных электронных устройствах, таких как источники питания, инверторы, электронные переключатели и другие системы, требующие управления мощностью.
Корпус 8-DFN-EP (3x3) представляет собой поверхностно-монтажный пакет, который обеспечивает компактность и удобство монтажа на печатную плату.
AONR32320C от Alpha & Omega Semiconductor представляет собой надежный и эффективный компонент, который может быть использован в различных электронных системах, требующих управления мощностью и коммутации высоких токов.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1149-6-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN STEEL1/4 RD X, Round Spacer Unthreaded - Steel 1.813" (46.04mm) -
Подробнее
Артикул: FZ2400R17HP4B29BOSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1700V 4800A, IGBT Module Trench Field Stop Single Switch 1700 V 4800 A 15500 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: PDTC144ET,215
Бренд: Nexperia
Описание: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 mW Surface Mount TO-236AB
Подробнее
Артикул: BZX84C9V1LT1
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 9.1V 225MW SOT23-3, Zener Diode 9.1 V 225 mW ±5% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: AOD486A
Бренд: Alpha & Omega Semiconductor
Описание:

MOSFET N-CH 40V 50A TO252, N-Channel 40 V 50A (Tc) 2W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Подробнее
Артикул: 1N5346B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 9.1V 5W AXIAL, Zener Diode 9.1 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее