г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AONR36366 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AONR36366
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 30V 30A/34A 8DFN, N-Channel 30 V 30A (Ta), 34A (Tc) 5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)

Цена
115 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AONR36366.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
30 V
30A (Ta), 34A (Tc)
3.5mOhm @ 20A, 10V
2.1V @ 250µA
35 nC @ 10 V
1835 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±20V
8-DFN-EP (3x3)
8-PowerVDFN
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
5,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
785-1850-2,785-1850-6,785-1850-1
5W (Ta), 28W (Tc)

AONR36366 является MOSFET-транзистором с полярностью N. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) - это полевой транзистор, который обладает высокой электронной подвижностью и используется во многих электронных устройствах для управления электрическими сигналами.
Некоторые характеристики:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 28 Вт. Это значение указывает на максимальную мощность, которую транзистор может расеивать без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 В. Это значение указывает на максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 В. Это значение указывает на максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2.1 В. Это значение указывает на минимальное напряжение на затворе, необходимое для включения транзистора.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 34 А. Это значение указывает на максимальный допустимый ток, который может протекать через сток транзистора.
AONR36366 может быть использован в различных схемах усиления, коммутации и регулирования сигналов в электронных устройствах, таких как источники питания, аудиоусилители, блоки управления двигателем и другие.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: STP160N75F3
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB, N-Channel 75 V 120A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: FDD9409
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: N CHANNEL POWER TRENCH MOSFET,, Mosfet Array
Подробнее
Артикул: FDU8880
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 30V 13A/58A IPAK, N-Channel 30 V 13A (Ta), 58A (Tc) 55W (Tc) Through Hole I-PAK
Подробнее
Артикул: FNB51560TD1
Бренд: onsemi
Описание: MODULE SPM 600V 15A SPM55, Power Driver Module IGBT 3 Phase Inverter 600 V 15 A 20-PowerDIP Module (1.220", 31.00mm)
Подробнее
Артикул: APT53F80J
Бренд: Microchip Technology
Описание: MOSFET N-CH 800V 57A ISOTOP, N-Channel 800 V 57A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Подробнее
Артикул: SPB-23-ST
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 1-7/16" STAINLESS SHAFT COLLAR,
Подробнее