г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AONR36366 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AONR36366
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 30V 30A/34A 8DFN, N-Channel 30 V 30A (Ta), 34A (Tc) 5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)

Цена
115 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AONR36366.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
30 V
30A (Ta), 34A (Tc)
3.5mOhm @ 20A, 10V
2.1V @ 250µA
35 nC @ 10 V
1835 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±20V
8-DFN-EP (3x3)
8-PowerVDFN
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
5,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
785-1850-2,785-1850-6,785-1850-1
5W (Ta), 28W (Tc)

AONR36366 является MOSFET-транзистором с полярностью N. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) - это полевой транзистор, который обладает высокой электронной подвижностью и используется во многих электронных устройствах для управления электрическими сигналами.
Некоторые характеристики:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 28 Вт. Это значение указывает на максимальную мощность, которую транзистор может расеивать без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 В. Это значение указывает на максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 В. Это значение указывает на максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2.1 В. Это значение указывает на минимальное напряжение на затворе, необходимое для включения транзистора.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 34 А. Это значение указывает на максимальный допустимый ток, который может протекать через сток транзистора.
AONR36366 может быть использован в различных схемах усиления, коммутации и регулирования сигналов в электронных устройствах, таких как источники питания, аудиоусилители, блоки управления двигателем и другие.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: NDS9952A
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 3.7/2.9A 8SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.7A, 2.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: B070-016-19
Бренд: Tripp Lite
Описание: NETCOMMANDER CAT5 KVM 16 PORT,
Подробнее
Артикул: STP20NM50
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB, N-Channel 500 V 20A (Tc) 192W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: STD3NK100Z
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK, N-Channel 1000 V 2.5A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: TPR1000
Бренд: Microsemi
Описание: RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55KV, RF Transistor NPN 65V 80A 1.09GHz 2900W Chassis Mount 55KV
Подробнее
Артикул: 1N4744A-T
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE ZENER 15V 1W DO41, Zener Diode 15 V 1 W ±5% Through Hole DO-41
Подробнее