г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AONR36366 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AONR36366
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 30V 30A/34A 8DFN, N-Channel 30 V 30A (Ta), 34A (Tc) 5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)

Цена
115 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AONR36366.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
30 V
30A (Ta), 34A (Tc)
3.5mOhm @ 20A, 10V
2.1V @ 250µA
35 nC @ 10 V
1835 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±20V
8-DFN-EP (3x3)
8-PowerVDFN
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
5,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
785-1850-2,785-1850-6,785-1850-1
5W (Ta), 28W (Tc)

AONR36366 является MOSFET-транзистором с полярностью N. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) - это полевой транзистор, который обладает высокой электронной подвижностью и используется во многих электронных устройствах для управления электрическими сигналами.
Некоторые характеристики:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 28 Вт. Это значение указывает на максимальную мощность, которую транзистор может расеивать без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 В. Это значение указывает на максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 В. Это значение указывает на максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2.1 В. Это значение указывает на минимальное напряжение на затворе, необходимое для включения транзистора.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 34 А. Это значение указывает на максимальный допустимый ток, который может протекать через сток транзистора.
AONR36366 может быть использован в различных схемах усиления, коммутации и регулирования сигналов в электронных устройствах, таких как источники питания, аудиоусилители, блоки управления двигателем и другие.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: STL8DN10LF3
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET 2N-CH 100V 20A 5X6, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 20A 70W Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
Подробнее
Артикул: STPS4045CW
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO247-3, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 45 V 20A Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: AOTF20N60
Бренд: Alpha & Omega Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3F, N-Channel 600 V 20A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220F
Подробнее
Артикул: RB411DT146
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SMD3, Diode Schottky 20 V 500mA Surface Mount SMD3
Подробнее
Артикул: RPI-MOUSE RED
Бренд: Raspberry Pi
Описание: RASPBERRY PI MOUSE RED,
Подробнее
Артикул: SBL2040CT
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V TO220AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 40 V 20A Through Hole TO-220-3
Подробнее