AONS21357 Alpha & Omega Semiconductor

AONS21357 является MOSFET транзистором типа P. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) - это полевой транзистор с изоляцией на основе оксида металла, который широко используется в электронике для управления током.
Ниже представлены основные характеристики AONS21357:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 48 Вт. Это означает, что транзистор может рассеивать до 48 Вт энергии без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое можно применить между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 25 В. Это максимальное напряжение, которое можно применить между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2.3 В. Это минимальное напряжение, которое необходимо приложить между затвором и истоком для включения транзистора.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 36 А. Это максимальный ток, который может протекать через сток и исток транзистора при определенных условиях работы.
В целом, транзистор AONS21357 может использоваться в различных приложениях, таких как усилители мощности, источники питания, переключатели и другие электронные устройства, где требуется управление током и напряжением.