AOT10B60D Alpha & Omega Semiconductor

AOT10B60D представляет собой транзистор типа IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) с N-канальным управляющим каналом. Этот транзистор предлагается компанией Alpha & Omega Semiconductor.
Основные характеристики:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 163 Вт. Это указывает на максимальное количество энергии, которое транзистор может рассеять, чтобы избежать перегрева.
2. Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (|Vce|): 600 В. Это максимальное напряжение, которое транзистор может выдержать между его коллектором и эмиттером.
3. Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (|Vge|): 20 В. Это максимальное напряжение, которое можно применить между эмиттером и затвором транзистора.
4. Максимальный постоянный ток коллектора (|Ic|) @ 25℃: 20 А. Это максимальный постоянный ток, который может протекать через коллектор транзистора при температуре 25°C.
5. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое (|VCE(sat)|): 1.53 В. Это типовое напряжение, которое будет существовать между коллектором и эмиттером при максимальном токе коллектора.
Итак, AOT10B60D - это высокомощный IGBT транзистор с хорошими характеристиками, который может быть использован в различных электронных приложениях, требующих управления большими токами и высокими напряжениями.