г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AOT1404L Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AOT1404L
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 40V 15A/220A TO220, N-Channel 40 V 15A (Ta), 220A (Tc) 2.1W (Ta), 417W (Tc) Through Hole TO-220

Цена
245 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AOT1404L.jpg
TO-220
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
40 V
15A (Ta), 220A (Tc)
4.2mOhm @ 20A, 10V
3.7V @ 250µA
86 nC @ 10 V
4300 pF @ 20 V
10V
±20V
TO-220-3
785-1410-5
-
Tube
Active
Through Hole
AOT1404
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
50
-55°C ~ 175°C (TJ)
2.1W (Ta), 417W (Tc)

AOT1404L представляет собой MOSFET транзистор типа N. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) - это электронное устройство, используемое в электронных схемах для управления электрическим током.
Некоторые характеристики AOT1404L включают:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 417 Вт. Это максимальная мощность, которую транзистор может рассеивать без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 40 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 3.7 В. Это минимальное напряжение, которое необходимо применить к затвору, чтобы транзистор начал проводить ток от стока к истоку.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 220 А. Это максимальный ток, который транзистор может пропускать от стока к истоку.
MOSFET транзисторы, такие как AOT1404L, широко применяются в различных электронных устройствах и системах, включая источники питания, инверторы, устройства управления моторами и другие приложения, где требуется эффективное управление большими токами и напряжениями.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: PBSS4260PAN
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: NOW NEXPERIA PBSS4260PAN - SMALL, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: DMT3003LFG-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333, N-Channel 30 V 22A (Ta), 100A (Tc) 2.4W (Ta), 62W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
Подробнее
Артикул: IRF521
Бренд: Harris
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 80 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: DFLS1200-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE SCHOTTKY 200V POWERDI123, Diode Schottky 200 V 1A Surface Mount PowerDI™ 123
Подробнее
Артикул: 0306-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN BRASS9/16HD X, 5/16"-18 Knob Panel Screw Slotted Drive Brass
Подробнее
Артикул: IRFR7546TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 56A DPAK, N-Channel 60 V 56A (Tc) 99W (Tc) Surface Mount DPAK
Подробнее