г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AOT15S65L Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AOT15S65L
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 650V 15A TO220, N-Channel 650 V 15A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220

Цена
510 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AOT15S65L.jpg
TO-220
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
650 V
15A (Tc)
290mOhm @ 7.5A, 10V
4V @ 250µA
17.2 nC @ 10 V
841 pF @ 100 V
10V
±30V
TO-220-3
785-1511-5,AOT15S65L-ND
aMOS™
Tube
Not For New Designs
Through Hole
AOT15S65
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
50
-55°C ~ 150°C (TJ)
208W (Tc)

AOT15S65L является MOSFET-транзистором, производимым компанией Alpha & Omega Semiconductor. Этот транзистор относится к типу N-канал MOSFET.
Ниже представлены основные характеристики этого транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 208 Вт. Это означает, что транзистор может выдерживать мощность до 208 Вт, прежде чем может произойти перегрев.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 650 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 3.3 В. Это напряжение, необходимое для включения транзистора.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 15 А. Это максимальный постоянный ток, который может протекать через сток-исток транзистора.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная температура, при которой транзистор может безопасно работать.
Транзисторы MOSFET широко используются в электронике для управления и усиления сигналов. Они обладают высокой эффективностью и низким сопротивлением включения, что делает их подходящими для различных приложений, включая коммутацию и управление мощными нагрузками.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FDS86242
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC, N-Channel 150 V 4.1A (Ta) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: KBP410G
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: BRIDGE RECTIFIER KBP TUBE 35PCS, Bridge Rectifier Single Phase Standard 1 kV Through Hole KBP
Подробнее
Артикул: FCA47N60F
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN, N-Channel 600 V 47A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-3PN
Подробнее
Артикул: IRG4BC15UD-S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 14A 49W D2PAK, IGBT - 600 V 14 A 49 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: BC550CTA
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 45V 0.1A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 100 mA 300MHz 500 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: 0389-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN STEEL5/16HD X, #6-32 Knob Panel Screw Slotted Drive Steel
Подробнее