г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AOT15S65L Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AOT15S65L
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 650V 15A TO220, N-Channel 650 V 15A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220

Цена
510 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AOT15S65L.jpg
TO-220
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
650 V
15A (Tc)
290mOhm @ 7.5A, 10V
4V @ 250µA
17.2 nC @ 10 V
841 pF @ 100 V
10V
±30V
TO-220-3
785-1511-5,AOT15S65L-ND
aMOS™
Tube
Not For New Designs
Through Hole
AOT15S65
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
50
-55°C ~ 150°C (TJ)
208W (Tc)

AOT15S65L является MOSFET-транзистором, производимым компанией Alpha & Omega Semiconductor. Этот транзистор относится к типу N-канал MOSFET.
Ниже представлены основные характеристики этого транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 208 Вт. Это означает, что транзистор может выдерживать мощность до 208 Вт, прежде чем может произойти перегрев.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 650 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 3.3 В. Это напряжение, необходимое для включения транзистора.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 15 А. Это максимальный постоянный ток, который может протекать через сток-исток транзистора.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная температура, при которой транзистор может безопасно работать.
Транзисторы MOSFET широко используются в электронике для управления и усиления сигналов. Они обладают высокой эффективностью и низким сопротивлением включения, что делает их подходящими для различных приложений, включая коммутацию и управление мощными нагрузками.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1SMA5921BT3G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 6.8V 1.5W SMA, Zener Diode 6.8 V 1.5 W ±5% Surface Mount SMA
Подробнее
Артикул: IXTP230N075T2
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 75V 230A TO220AB, N-Channel 75 V 230A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: BSO613SPVGHUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO, P-Channel 60 V 3.44A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
Подробнее
Артикул: CSD17551Q3A
Бренд: Texas Instruments
Описание: MOSFET N-CH 30V 12A 8SON, N-Channel 30 V 12A (Tc) 2.6W (Ta) Surface Mount 8-SON (3.3x3.3)
Подробнее
Артикул: 1542-A-6-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SWAGE SPACERPLAIN STEEL1/4, Round Spacer Unthreaded - Steel 0.813" (20.65mm) 13/16" -
Подробнее
Артикул: UES1306
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL, Diode Standard 400 V 3A Through Hole -
Подробнее