г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AOT210L Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AOT210L
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 30V 20A/105A TO220, N-Channel 30 V 20A (Ta), 105A (Tc) 1.9W (Ta), 176W (Tc) Through Hole TO-220

Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AOT210L.jpg
N-Channel
-
30 V
20A (Ta), 105A (Tc)
2.9mOhm @ 20A, 10V
2.2V @ 250µA
58 nC @ 10 V
4300 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±20V
MOSFET (Metal Oxide)
TO-220
TO-220-3
-
Tube
Obsolete
Through Hole
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
1,000
-55°C ~ 175°C (TJ)
1.9W (Ta), 176W (Tc)

AOT210L является MOSFET транзистором типа N. Он производится компанией Alpha & Omega Semiconductor и поставляется в корпусе TO-220.
Некоторые характеристики этого транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 176 W. Это означает, что транзистор может безопасно рассеивать до 176 ватт тепла при нормальной эксплуатации.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 V. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора без повреждения.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 V. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора без повреждения.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2.2 V. Это минимальное напряжение, необходимое для включения транзистора и установления проводящего состояния между стоком и истоком.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 105 A. Это максимальный ток, который может протекать через сток-исток при нормальной работе транзистора.
6. Максимальная температура канала (Tj): 175 °C. Это максимальная температура, которая может быть достигнута в канале транзистора при нормальной работе.
Эти характеристики описывают возможности и ограничения транзистора AOT210L. Важно учитывать эти параметры при разработке и использовании электронных устройств, в которых применяется данный транзистор.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: NGD8205ANT4G
Бренд: onsemi
Описание: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, IGBT - 390 V 20 A 125 W Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Подробнее
Артикул: SM5400
Бренд: DComponents
Описание: ST Rect, 50V, 3A, Diode Standard 50 V 3A Surface Mount MELF DO-213AB
Подробнее
Артикул: FGH60N60SFDTU
Бренд: onsemi
Описание: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247, IGBT Field Stop 600 V 120 A 378 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: NTR5105PT1G
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 60V 196MA SOT23-3, P-Channel 60 V 196mA (Ta) 347mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: OF-MCL-12-A
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 12 MM ALUMINUM SHAFT COLLAR,
Подробнее
Артикул: 2N6285
Бренд: onsemi
Описание: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 20A, 6, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее