г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AOT210L Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AOT210L
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 30V 20A/105A TO220, N-Channel 30 V 20A (Ta), 105A (Tc) 1.9W (Ta), 176W (Tc) Through Hole TO-220

Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AOT210L.jpg
N-Channel
-
30 V
20A (Ta), 105A (Tc)
2.9mOhm @ 20A, 10V
2.2V @ 250µA
58 nC @ 10 V
4300 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±20V
MOSFET (Metal Oxide)
TO-220
TO-220-3
-
Tube
Obsolete
Through Hole
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
1,000
-55°C ~ 175°C (TJ)
1.9W (Ta), 176W (Tc)

AOT210L является MOSFET транзистором типа N. Он производится компанией Alpha & Omega Semiconductor и поставляется в корпусе TO-220.
Некоторые характеристики этого транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 176 W. Это означает, что транзистор может безопасно рассеивать до 176 ватт тепла при нормальной эксплуатации.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 V. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора без повреждения.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 V. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора без повреждения.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2.2 V. Это минимальное напряжение, необходимое для включения транзистора и установления проводящего состояния между стоком и истоком.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 105 A. Это максимальный ток, который может протекать через сток-исток при нормальной работе транзистора.
6. Максимальная температура канала (Tj): 175 °C. Это максимальная температура, которая может быть достигнута в канале транзистора при нормальной работе.
Эти характеристики описывают возможности и ограничения транзистора AOT210L. Важно учитывать эти параметры при разработке и использовании электронных устройств, в которых применяется данный транзистор.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: CM200DY-28H
Бренд: Powerex
Описание: IGBT MOD 1400V 200A 1500W, IGBT Module - Half Bridge 1400 V 200 A 1500 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: MCC132-12IO1
Бренд: IXYS
Описание: MOD THYRISTOR DUAL 1200V Y4-M6, SCR Module 1.2 kV 300 A Series Connection - All SCRs Chassis Mount Y4-M6
Подробнее
Артикул: ZXTP2012ZTA
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS PNP 60V 4.3A SOT89, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 4.3 A 120MHz 2.1 W Surface Mount SOT-89-3
Подробнее
Артикул: IRF7832PBF
Бренд: International Rectifier
Описание: HEXFET POWER MOSFET, N-Channel 30 V 20A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: L4008L6
Бренд: Littelfuse
Описание: TRIAC SENS GATE 400V 8A TO220, TRIAC Logic - Sensitive Gate 400 V 8 A Through Hole TO-220 Isolated Tab
Подробнее
Артикул: IRF9389PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO, Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.8A, 4.6A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее