г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AOT264L Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AOT264L
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 60V 19A/140A TO220, N-Channel 60 V 19A (Ta), 140A (Tc) 2.1W (Ta), 333W (Tc) Through Hole TO-220

Цена
230 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AOT264L.jpg
TO-220
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
60 V
19A (Ta), 140A (Tc)
3.2mOhm @ 20A, 10V
3.2V @ 250µA
94 nC @ 10 V
8400 pF @ 30 V
6V, 10V
±20V
TO-220-3
785-1414-5
-
Tube
Active
Through Hole
AOT264
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
50
-55°C ~ 175°C (TJ)
2.1W (Ta), 333W (Tc)

AOT264L является MOSFET-транзистором с полярностью N. Он производится компанией Alpha & Omega Semiconductor и имеет корпус типа TO-220.
Некоторые характеристики AOT264L включают:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 333 Вт. Это указывает на максимальную мощность, которую транзистор может безопасно рассеивать в виде тепла.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 60 В. Это означает максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 В. Это указывает на максимальное напряжение, которое можно применить между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 3.2 В. Это значение указывает на минимальное напряжение, которое необходимо приложить к затвору, чтобы транзистор начал проводить ток.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 140 А. Это означает максимальный постоянный ток, который может протекать через транзистор.
Транзистор AOT264L обладает хорошими параметрами для использования в различных электронных схемах, требующих управления большими токами и высокими напряжениями. Благодаря своей высокой максимальной рассеиваемой мощности, он способен обрабатывать значительные тепловые нагрузки без перегрева.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: VS-120NQ045PBF
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 45V 120A D-67, Diode Schottky 45 V 120A Chassis Mount D-67 HALF-PAK
Подробнее
Артикул: IRF9633
Бренд: Harris
Описание: P-CHANNEL POWER MOSFET, P-Channel 150 V 5.5A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: MPSA13-AP
Бренд: Micro Commercial
Описание: TRANS PREBIAS NPN 30V TO92, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30 V 500 mA 125MHz 1.5 W Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: IRFZ44ESTRRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK, N-Channel 60 V 48A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: 6911-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: SHOULDER SCREWPLAIN BRASS9/32HD, #6-32 Cheese Head Shoulder Screw Hex Drive Brass
Подробнее
Артикул: 1N4742A
Бренд: Rectron
Описание: DIODE ZENER 12 V 1W DO-41G, Zener Diode 12 V 1 W ±5% Through Hole DO-41G
Подробнее