г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AOT27S60L Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AOT27S60L
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 600V 27A TO220, N-Channel 600 V 27A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-220

Цена
723 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AOT27S60L.jpg
TO-220
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
600 V
27A (Tc)
160mOhm @ 13.5A, 10V
4V @ 250µA
26 nC @ 10 V
1294 pF @ 100 V
10V
±30V
TO-220-3
785-1252-5
aMOS™
Tube
Not For New Designs
Through Hole
AOT27S60
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
50
-55°C ~ 150°C (TJ)
357W (Tc)

AOT27S60L является MOSFET-транзистором типа N-канал. Он производится компанией Alpha & Omega Semiconductor и имеет корпус типа TO220.
Некоторые характеристики этого транзистора включают:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 357 Вт. Это максимальная мощность, которую транзистор может рассеивать без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 600 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 4 В. Это напряжение, необходимое для включения транзистора.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 27 А. Это максимальный ток, который может протекать через транзистор при заданных условиях.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная температура, которую может выдерживать канал транзистора без повреждений.
Транзистор AOT27S60L предназначен для использования в различных электронных схемах, где требуется управление мощностью и коммутация электрических сигналов. Его параметры делают его подходящим для работы с высокими токами и напряжениями, при этом обеспечивая низкое сопротивление и высокую эффективность.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: DMN2022UFDF-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN, N-Channel 20 V 7.9A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Подробнее
Артикул: STPS10H100SFY
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO277A, Diode Array Schottky 100 V Surface Mount TO-277, 3-PowerDFN
Подробнее
Артикул: 2STBN15D100
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS NPN DARL 100V 12A D2PAK, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 12 A - 70 W Surface Mount D?PAK (TO-263)
Подробнее
Артикул: FS50R12KE3BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 75A 270W, IGBT Module NPT Three Phase Inverter 1200 V 75 A 270 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: 10BQ040
Бренд: SMC Diode Solutions
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SMB, Diode Schottky 40 V 1A Surface Mount SMB (DO-214AA)
Подробнее
Артикул: NTP5860NLG
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 60V 220A TO220AB, N-Channel 60 V 220A (Tc) 283W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее