AOT8N60 Alpha & Omega Semiconductor

AOT8N60 является MOSFET-транзистором с полярностью N. Он предназначен для использования в электронных схемах в качестве управляющего или коммутационного элемента.
Некоторые характеристики этого транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 208 Вт. Это означает, что транзистор может безопасно рассеивать до 208 Вт энергии, чтобы избежать перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 600 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора без повреждения.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора без повреждения.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 4.5 В. Это минимальное напряжение на затворе, необходимое для включения транзистора.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 8 А. Это максимальный постоянный ток, который может протекать через сток-исток транзистора без повреждения.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная температура, которую может выдерживать канал транзистора без перегрева.
Компания Alpha & Omega Semiconductor является производителем транзистора AOT8N60 с корпусом TO-220.