AOTF10N60 Alpha & Omega Semiconductor

AOTF10N60 является MOSFET-транзистором с полярностью N. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) - это тип полевого транзистора, который управляется электрическим полем. Транзисторы MOSFET обычно используются во многих электронных устройствах, включая усилители мощности, инверторы, блоки питания и т.д.
Вот основные характеристики транзистора AOTF10N60:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W. Это максимальная мощность, которую транзистор может безопасно рассеивать без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 600 V. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 30 V. Это максимальное напряжение, которое можно применить между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 5 V. Это напряжение, которое необходимо приложить между затвором и истоком, чтобы транзистор начал проводить ток.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 10 A. Это максимальный ток, который можно пропускать через сток-исток транзистора без повреждения.
Транзистор AOTF10N60 представляет собой мощный MOSFET-транзистор с высокими характеристиками и предназначен для использования в приложениях, требующих высокой мощности и высокого напряжения.