AOTF11N70 Alpha & Omega Semiconductor

AOTF11N70 является MOSFET транзистором с полярностью N, производства компании Alpha & Omega Semiconductor. Он имеет следующие характеристики:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 Вт. Это означает, что транзистор может рассеивать до 50 Вт энергии без превышения допустимых значений температуры.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 700 В. Это максимальное напряжение, которое можно применить между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое можно применить между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 4.5 В. Это минимальное напряжение на затворе, необходимое для включения транзистора.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 11 А. Это максимальный постоянный ток, который может протекать через транзистор.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная рабочая температура, при которой транзистор может работать без проблем.
Транзистор AOTF11N70 обладает хорошими электрическими характеристиками, что делает его подходящим для широкого спектра приложений, включая силовые источники, преобразователи энергии, усилители и другие электронные устройства.