г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AOTF15B60D Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AOTF15B60D
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

IGBT 600V 30A 50W TO220F, IGBT - 600 V 30 A 50 W Through Hole TO-220F

Цена
238 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/AOTF15B60D.jpg
196 ns
50 W
Standard
400V, 15A, 20Ohm, 15V
30 A
600 V
-
60 A
1.8V @ 15V, 15A
420µJ (on), 110µJ (off)
25.4 nC
TO-220F
TO-220-3 Full Pack
-55°C ~ 150°C (TJ)
Alpha IGBT™
Tube
Active
Through Hole
AOTF15
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
1,000
21ns/73ns

AOTF15B60D представляет собой транзистор типа IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором). Этот транзистор имеет следующие характеристики:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 Вт. Это максимальная мощность, которую транзистор может рассеивать без перегрева.
2. Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (|Vce|): 600 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между коллектором и эмиттером транзистора.
3. Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (|Vge|): 20 В. Это максимальное напряжение между эмиттером и затвором транзистора.
4. Максимальный постоянный ток коллектора (|Ic|) при 25
: 30 А. Это максимальный ток, который может протекать через коллектор транзистора при комнатной температуре.
5. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое (|VCE(sat)|): 1.6 В. Это напряжение между коллектором и эмиттером транзистора в насыщенном состоянии, когда он полностью открыт.
6. Максимальная температура перехода (Tj): 150
. Это максимальная рабочая температура транзистора.
Производителем данного транзистора является компания Alpha & Omega Semiconductor.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: TIP32C
Бренд: Harris
Описание: 3A, 100V, PNP SILICON TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 3 A 3MHz 2 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: CM75DY-12H
Бренд: Powerex
Описание: IGBT MODULE 600V 75A 310W, IGBT Module - Half Bridge 600 V 75 A 310 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: DSEI2X61-12P
Бренд: IXYS
Описание: DIODE MODULE 1.2KV 52A ECO-PAC1, Diode Array 2 Independent Standard 1200 V 52A Chassis Mount ECO-PAC1
Подробнее
Артикул: 27-2700-E
Бренд: TE Connectivity
Описание: AMP PRO CRIMPER TOOL & DIE,
Подробнее
Артикул: IXFN21N100Q
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B, N-Channel 1000 V 21A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Подробнее
Артикул: HAT2172H-EL-E
Бренд: Renesas
Описание: MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK, N-Channel 40 V 30A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount LFPAK
Подробнее