г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AOTF15B60D Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AOTF15B60D
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

IGBT 600V 30A 50W TO220F, IGBT - 600 V 30 A 50 W Through Hole TO-220F

Цена
238 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/AOTF15B60D.jpg
196 ns
50 W
Standard
400V, 15A, 20Ohm, 15V
30 A
600 V
-
60 A
1.8V @ 15V, 15A
420µJ (on), 110µJ (off)
25.4 nC
TO-220F
TO-220-3 Full Pack
-55°C ~ 150°C (TJ)
Alpha IGBT™
Tube
Active
Through Hole
AOTF15
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
1,000
21ns/73ns

AOTF15B60D представляет собой транзистор типа IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором). Этот транзистор имеет следующие характеристики:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 Вт. Это максимальная мощность, которую транзистор может рассеивать без перегрева.
2. Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (|Vce|): 600 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между коллектором и эмиттером транзистора.
3. Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (|Vge|): 20 В. Это максимальное напряжение между эмиттером и затвором транзистора.
4. Максимальный постоянный ток коллектора (|Ic|) при 25
: 30 А. Это максимальный ток, который может протекать через коллектор транзистора при комнатной температуре.
5. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое (|VCE(sat)|): 1.6 В. Это напряжение между коллектором и эмиттером транзистора в насыщенном состоянии, когда он полностью открыт.
6. Максимальная температура перехода (Tj): 150
. Это максимальная рабочая температура транзистора.
Производителем данного транзистора является компания Alpha & Omega Semiconductor.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: SD1274
Бренд: STMicroelectronics
Описание: RF TRANS NPN 16V M135, RF Transistor NPN 16V 8A - 70W Surface Mount M135
Подробнее
Артикул: NGTB50N65S1WG
Бренд: onsemi
Описание: IGBT TRENCH 650V 140A TO247, IGBT Trench 650 V 140 A 300 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: 1487-31-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON3/4 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 0.250" (6.35mm) 1/4" -
Подробнее
Артикул: 1N3175
Бренд: Microchip Technology
Описание: STANDARD RECTIFIER, Diode
Подробнее
Артикул: SI2333CDS-T1-E3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3, P-Channel 12 V 7.1A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: MJ10001
Бренд: Solid State
Описание: TO 3 20 AMP DARLINGTON TRANSISTO, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 500 V 20 A - 175 W Through Hole TO-3
Подробнее