г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AOTF15B60D Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AOTF15B60D
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

IGBT 600V 30A 50W TO220F, IGBT - 600 V 30 A 50 W Through Hole TO-220F

Цена
238 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/AOTF15B60D.jpg
196 ns
50 W
Standard
400V, 15A, 20Ohm, 15V
30 A
600 V
-
60 A
1.8V @ 15V, 15A
420µJ (on), 110µJ (off)
25.4 nC
TO-220F
TO-220-3 Full Pack
-55°C ~ 150°C (TJ)
Alpha IGBT™
Tube
Active
Through Hole
AOTF15
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
1,000
21ns/73ns

AOTF15B60D представляет собой транзистор типа IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором). Этот транзистор имеет следующие характеристики:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 Вт. Это максимальная мощность, которую транзистор может рассеивать без перегрева.
2. Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (|Vce|): 600 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между коллектором и эмиттером транзистора.
3. Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (|Vge|): 20 В. Это максимальное напряжение между эмиттером и затвором транзистора.
4. Максимальный постоянный ток коллектора (|Ic|) при 25
: 30 А. Это максимальный ток, который может протекать через коллектор транзистора при комнатной температуре.
5. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое (|VCE(sat)|): 1.6 В. Это напряжение между коллектором и эмиттером транзистора в насыщенном состоянии, когда он полностью открыт.
6. Максимальная температура перехода (Tj): 150
. Это максимальная рабочая температура транзистора.
Производителем данного транзистора является компания Alpha & Omega Semiconductor.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: VS-25TTS12SPBF
Бренд: VISHAY
Описание: SCR 1.2KV 25A TO263AB, SCR 1.2 kV 25 A Standard Recovery Surface Mount TO-263AB (D?PAK)
Подробнее
Артикул: RB578VYM100FHTR
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: DIODE SCHOTTKY 100V SMD, Diode Schottky 100 V 700mA Surface Mount TUMD2M
Подробнее
Артикул: FQPF5N50C
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 500V 5A TO220F, N-Channel 500 V 5A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Подробнее
Артикул: BZX84C5V1LT1G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 5.1V 225MW SOT23-3, Zener Diode 5.1 V 225 mW ±6% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: 1428-8-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN STEEL1/2 HEX X 7, Hex Spacer Unthreaded - Steel 0.438" (11.13mm) 7/16" -
Подробнее
Артикул: 20CTQ150
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 150 V 10A Through Hole TO-220-3
Подробнее