г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AOTF2210L Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AOTF2210L
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 200V 6.5A/13A TO220, N-Channel 200 V 6.5A (Ta), 13A (Tc) 8.3W (Ta), 36.5W (Tc) Through Hole TO-220F

Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AOTF2210L.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
200 V
6.5A (Ta), 13A (Tc)
90mOhm @ 13A, 10V
2.5V @ 250µA
40 nC @ 10 V
2065 pF @ 100 V
5V, 10V
±20V
TO-220F
TO-220-3 Full Pack
-
Tube
Obsolete
Through Hole
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
1,000
-55°C ~ 175°C (TJ)
785-1713-5,AOTF2210L-ND
8.3W (Ta), 36.5W (Tc)

AOTF2210L является MOSFET-транзистором с типом управляющего канала N-канал. Он производится компанией Alpha & Omega Semiconductor и поставляется в корпусе TO220F.
Вот основные технические характеристики этого транзистора:
1. Максимальная потеря мощности (Pd): 36.5 Вт. Это означает, что при работе транзистора мощность, выделяемая в виде тепла, не должна превышать этого значения, чтобы избежать перегрева.
2. Максимальное напряжение стока-исток (|Vds|): 200 В. Это максимальное напряжение, которое можно применять между стоком и истоком транзистора.
3. Максимальное напряжение затвор-исток (|Vgs|): 20 В. Это максимальное напряжение, которое можно применять между затвором и истоком транзистора.
4. Максимальное пороговое напряжение затвор-исток (|Vgs(th)|): 2.5 В. Это напряжение, которое необходимо применить между затвором и истоком для управления транзистором.
5. Максимальный ток стока (|Id|): 13 А. Это максимальный ток, который может протекать через транзистор от стока к истоку.
6. Максимальная рабочая температура стыка (Tj): 175 °C. Это максимальная температура, при которой транзистор может работать без ущерба для своих характеристик и надежности.
Транзистор AOTF2210L в корпусе TO220F может быть использован в различных приложениях, таких как силовые усилители, источники питания, инверторы, электронные ключи и другие схемы, где требуется коммутация больших токов и управление мощностью.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BY1600
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: DIODE STD DO-201 1600V 3A, Diode Standard 1600 V 3A Through Hole DO-201
Подробнее
Артикул: 1195-12-B-12
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERCLEAR ZINC3/8 RD X 1, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.813" (20.65mm) 13/16" Clear
Подробнее
Артикул: TIP41CTU
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 6 A 3MHz 2 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: FCMT250N65S3
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 650V 12A POWER88, N-Channel 650 V 12A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount Power88
Подробнее
Артикул: DL4739A
Бренд: Rectron
Описание: DIODE ZENER 9.1V 1W LL-41, Zener Diode 9.1 V 1 W ±5% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41)
Подробнее
Артикул: T-3478-100
Бренд: Amphenol
Описание: T-3478-100,
Подробнее