AOTF22N50 Alpha & Omega Semiconductor

AOTF22N50 представляет собой MOSFET транзистор типа N. Он обладает следующими характеристиками:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) составляет 50 Вт. Это означает, что транзистор может выдерживать нагрузку мощностью до 50 Вт без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|) составляет 500 В. Это означает, что транзистор может выдерживать напряжение на стоке и истоке до 500 В.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|) составляет 30 В. Это означает, что напряжение на затворе и истоке не должно превышать 30 В.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|) составляет 4.5 В. Это означает, что транзистор начинает проводить ток, когда напряжение на затворе достигает 4.5 В.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|) составляет 22 А. Это означает, что транзистор может выдерживать постоянный ток на стоке до 22 А.
6. Максимальная температура канала (Tj) составляет 150 °C. Это означает, что транзистор может работать при температуре до 150 °C без перегрева.
Таким образом, AOTF22N50 - это MOSFET транзистор с характеристиками, позволяющими использовать его в различных электронных схемах, включая усилители мощности, импульсные преобразователи и другие приложения, требующие высоких токов и напряжений.