г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AOTF25S65 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AOTF25S65
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 650V 25A TO220-3F, N-Channel 650 V 25A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220F

Цена
367 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AOTF25S65.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
650 V
25A (Tc)
190mOhm @ 12.5A, 10V
4V @ 250µA
26.4 nC @ 10 V
1278 pF @ 100 V
10V
±30V
TO-220F
TO-220-3 Full Pack
-55°C ~ 150°C (TJ)
aMOS™
Tube
Not For New Designs
Through Hole
AOTF25
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
1,000
50W (Tc)

AOTF25S65, производимый компанией Alpha & Omega Semiconductor, является MOSFET транзистором с полярностью N. Этот транзистор предназначен для использования в различных электронных устройствах и системах.
Ниже приведены основные технические характеристики этого транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W. Это максимальная мощность, которую транзистор может рассеивать без превышения теплового предела.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V. Это минимальное напряжение на затворе, необходимое для полного открытия транзистора.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 25 A. Это максимальный постоянный ток, который может протекать через транзистор.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная температура, при которой транзистор может работать надежно.
Транзистор AOTF25S65 является компонентом средней мощности и может применяться в различных электронных схемах и устройствах, где требуется управление током и напряжением.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: SZMMSZ5231BT1G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123, Zener Diode 5.1 V 500 mW ±5% Surface Mount SOD-123
Подробнее
Артикул: IRGB4059DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 8A 56W TO220AB, IGBT Trench 600 V 8 A 56 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFI9634GPBF
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 250V 4.1A TO220-3, P-Channel 250 V 4.1A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: BC80740
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor Array PNP 45V 800mA 100MHz 310mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: 1124-6-B-4
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERCHROME OVER NICKELRO, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.250" (6.35mm) 1/4" -
Подробнее
Артикул: MBRD10200CT
Бренд: Littelfuse
Описание: DIODE SCHOTTKY 200V 5A TO252, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200 V 5A Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Подробнее