г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AOTF266L Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AOTF266L
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 60V 18A/78A TO220-3F, N-Channel 60 V 18A (Ta), 78A (Tc) 2.1W (Ta), 45.5W (Tc) Through Hole TO-220F

Цена
525 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AOTF266L.jpg
TO-220F
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
60 V
18A (Ta), 78A (Tc)
3.5mOhm @ 20A, 10V
3.2V @ 250µA
90 nC @ 10 V
5650 pF @ 30 V
6V, 10V
±20V
TO-220-3 Full Pack
785-1443-5
-
Tube
Active
Through Hole
AOTF266
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
1,000
-55°C ~ 175°C (TJ)
2.1W (Ta), 45.5W (Tc)

AOTF266L является MOSFET-транзистором с полярностью N, производимым компанией Alpha & Omega Semiconductor. Он имеет следующие характеристики:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45.5 W. Это максимальная мощность, которую транзистор может расеивать без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 60 V. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 V. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 3.2 V. Это напряжение, необходимое для включения транзистора и начала проводимости между стоком и истоком.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 78 A. Это максимальный постоянный ток, который может протекать через сток и исток транзистора.
6. Максимальная температура канала (Tj): 175 °C. Это максимальная температура, которую транзистор может выдержать без повреждений.
MOSFET -транзисторы широко применяются в электронике, особенно в силовых устройствах и усилителях, благодаря своей высокой эффективности и низкому сопротивлению включения-выключения. Они позволяют эффективно управлять большими токами и напряжениями, а также обладают быстрым временем переключения и низкими потерями мощности.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BZX84-C30,215
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: NEXPERIA BZX84-C30 - ZENER DIODE, Zener Diode 30 V 250 mW ±5% Surface Mount TO-236AB
Подробнее
Артикул: FDMA3028N
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 3.8A 6MICROFET, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.8A 700mW Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Подробнее
Артикул: DB157S
Бренд: SMC Diode Solutions
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A DB-S, Bridge Rectifier Single Phase Standard 1 kV Surface Mount DB-S
Подробнее
Артикул: BZV55-C4V7,115
Бренд: Nexperia
Описание: DIODE ZENER 4.7V 500MW LLDS, Zener Diode 4.7 V 500 mW ±5% Surface Mount LLDS; MiniMelf
Подробнее
Артикул: CD5300
Бренд: Microchip Technology
Описание: CURRENT REGULATOR, Diode Standard 100 V 1.43A Surface Mount Chip
Подробнее
Артикул: SD103AW-13
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 350MA SOD123, Diode Schottky 40 V 350mA (DC) Surface Mount SOD-123
Подробнее