г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AOTF380A60CL Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AOTF380A60CL
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 600V 11A TO220F, N-Channel 600 V 11A (Tj) 27W (Tc) Through Hole TO-220F

Цена
312 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AOTF380A60CL.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
600 V
11A (Tj)
10V
380mOhm @ 5.5A, 10V
3.8V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
955 pF @ 100 V
-
TO-220F
1 (Unlimited)
AOTF380
aMOS5™
Tube
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
ROHS3 Compliant
EAR99
8541.29.0095
785-AOTF380A60CL
50
27W (Tc)

AOTF380A60CL, производимый компанией Alpha & Omega Semiconductor, представляет собой мощный N-канальный MOSFET транзистор для использования в электронных устройствах и системах мощности. Данный транзистор обладает следующими характеристиками:
1. Напряжение: Модель AOTF380A60CL имеет рабочее напряжение до 600 В. Это означает, что транзистор может эффективно работать с напряжениями до 600 В.
2. Ток: Данный транзистор обладает номинальным током 11 А. Он способен пропускать постоянный ток до 11 А без проблем.
3. Потери мощности: Максимальные потери мощности составляют 27 Вт при рабочей температуре кристалла (Tj) и 27 Вт при температуре корпуса (Tc). Эти значения указывают на эффективность транзистора и его способность управлять большим количеством энергии без перегрева.
4. Тип корпуса: Транзистор поставляется в корпусе TO-220F, который является типичным вариантом корпуса для мощных полевых транзисторов. Корпус TO-220F обеспечивает хорошее отвод тепла и легко монтируется на печатные платы или радиаторы.
Такой мощный N-канальный MOSFET транзистор может быть использован в различных приложениях, включая системы электропитания, преобразователи постоянного и переменного тока, электронные стабилизаторы, инверторы, а также в других высокоэнергетических электронных устройствах, где требуется эффективное управление большими токами и высокими напряжениями.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1N5809
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL, Diode Standard 100 V 3A Through Hole
Подробнее
Артикул: MMSZ5223B
Бренд: Rectron
Описание: DIODE ZENER 2.7V 500MW SOD-123, Zener Diode 2.7 V 500 mW ±5% Surface Mount SOD-123
Подробнее
Артикул: IRF7416TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO, P-Channel 30 V 10A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: NE85633-A
Бренд: CEL
Описание: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23, RF Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200mW - -
Подробнее
Артикул: CSD17581Q3A
Бренд: Texas Instruments
Описание: MOSFET N-CH 30V 21A 8VSON, N-Channel 30 V 21A (Ta) 2.8W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (3x3.3)
Подробнее
Артикул: 1N4006-T
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41, Diode Standard 800 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее