г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AOTF409 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AOTF409
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET P-CH 60V 5.4A/24A TO220FL, P-Channel 60 V 5.4A (Ta), 24A (Tc) 2.16W (Ta), 43W (Tc) Through Hole TO-220FL

Цена
98 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AOTF409.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
P-Channel
-
60 V
5.4A (Ta), 24A (Tc)
40mOhm @ 20A, 10V
2.4V @ 250µA
52 nC @ 10 V
2953 pF @ 30 V
4.5V, 10V
±20V
TO-220FL
TO-220-3 Full Pack
-
Tube
Active
Through Hole
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
1,000
-55°C ~ 175°C (TJ)
2.16W (Ta), 43W (Tc)

AOTF409 относится к транзистору, произведенному компанией Alpha & Omega Semiconductor. Этот транзистор относится к типу P-MOSFET (полевой P-канальный металлокислородный полупроводниковый транзистор) и имеет несколько ключевых характеристик.
Вот основные технические характеристики транзистора AOTF409:
1. Напряжение стока-истока (Vds): -60 В. Это означает, что максимальное напряжение, которое может выдержать транзистор между стоком и истоком, составляет -60 В.
2. Ток стока (Id): -17 А. Это максимальный ток, который может протекать через сток исток транзистора при заданном напряжении Vds.
3. Мощность (P): 21 Вт. Это максимальная мощность, которую транзистор может обработать без перегрева при определенных условиях эксплуатации.
4. Корпус: TO220F. Это тип корпуса, используемого для данного транзистора. Корпус TO220F является популярным в полупроводниковой промышленности и предоставляет удобные механические и электрические свойства для монтажа на печатные платы или радиаторы.
Транзисторы P-MOSFET широко используются в электронных устройствах для управления мощными нагрузками и переключения сигналов. Они обладают высоким сопротивлением в открытом состоянии и используются в схемах, где необходимо переключение высокого напряжения.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1N3311
Бренд: Solid State
Описание: DO5 50 WATT ZENER DIODES, Zener Diode 12 V 50 W ±20% Stud Mount DO-5
Подробнее
Артикул: FJN3301RTA
Бренд: onsemi
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,, Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 100 mA 250MHz 300 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: FCH041N60F
Бренд: onsemi
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7, N-Channel 600 V 76A (Tc) 595W (Tc) Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: 2N6384
Бренд: Microchip Technology
Описание: NPN TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: CAN-2057D
Бренд: ICP DAS
Описание: DEVICENET SLAVE I/O MODULE: 16 C, Output Module DIN Rail 10 ~ 30VDC
Подробнее
Артикул: IXSK50N60AU1
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 600V 75A 300W TO264AA, IGBT - 600 V 75 A 300 W Through Hole TO-264AA(IXSK)
Подробнее