AOTF4N60L Alpha & Omega Semiconductor

AOTF4N60L является MOSFET-транзистором типа N. Он производится компанией Alpha & Omega Semiconductor и имеет корпус типа TO220F.
Вот некоторые характеристики этого транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 Вт. Это означает, что максимальная мощность, которую транзистор может расеивать без перегрева, составляет 25 Вт.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 600 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора без повреждения.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора без повреждения.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 4.5 В. Это напряжение, необходимое для включения транзистора и начала проводимости между стоком и истоком.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 4 А. Это максимальный ток, который может протекать через транзистор без повреждения.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная температура, которую может выдерживать канал транзистора без перегрева.
Эти характеристики позволяют оценить и использовать транзистор AOTF4N60L в различных электронных схемах, где требуется управление током или напряжением.