AOTF7N70 Alpha & Omega Semiconductor

AOTF7N70 является MOSFET-транзистором. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) - это тип полевого транзистора, использующего оксид-полупроводниковую структуру для управления током.
С данным артикулом, мы имеем дело с MOSFET-транзистором полярности N, что означает, что основной ток течет от стока к истоку при положительном напряжении на затворе.
Некоторые характеристики этого транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 38.5 Вт. Это максимальная мощность, которую транзистор может безопасно рассеивать без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 700 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 4.5 В. Это минимальное напряжение, которое необходимо приложить к затвору для включения транзистора.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 7 А. Это максимальный постоянный ток, который может протекать через сток-исток транзистора.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная рабочая температура транзистора.
AOTF7N70 производится компанией Alpha & Omega Semiconductor.