AOTF8N60 Alpha & Omega Semiconductor

AOTF8N60 является MOSFET-транзистором с полярностью N, что означает, что он является канальным N-типа. Этот транзистор производится компанией Alpha & Omega Semiconductor и поставляется в корпусе TO-220F.
Некоторые основные характеристики этого транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 Вт. Это означает, что транзистор способен выдерживать мощность до 50 Вт без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 600 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 4.5 В. Это напряжение, необходимое для того, чтобы открыть канал между истоком и стоком транзистора.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 8 А. Это максимальный ток, который может протекать через сток-исток транзистора.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная температура, которую может достигать канал транзистора.
Транзистор AOTF8N60 предназначен для использования в различных электронных устройствах, где требуется управление и усиление сигналов постоянного тока и напряжения.