AOTF8N65 Alpha & Omega Semiconductor

AOTF8N65 является MOSFET транзистором с полярностью N. Он производится компанией Alpha & Omega Semiconductor и поставляется в корпусе TO-220F.
Ниже приведены основные характеристики этого транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 Вт. Это означает, что транзистор может эффективно расеивать тепло, которое возникает во время работы, при мощности, не превышающей 50 Вт.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 650 В. Это означает, что транзистор может выдерживать напряжение до 650 В между стоком и истоком.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 30 В. Это ограничение указывает на максимальное напряжение, которое можно приложить между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 5 В. Это минимальное напряжение, необходимое для полного открытия транзистора и установления проводимости между стоком и истоком.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 8 А. Это максимальное значение постоянного тока, который может протекать через сток исток транзистора.
Транзистор AOTF8N65 является компонентом, широко применяемым в электронных схемах, где требуется управление большими токами и высокими напряжениями, таких как источники питания, инверторы и другие устройства. Его характеристики делают его подходящим для работы в различных приложениях, где важна эффективность и надежность работы транзистора.