AOTF9N50 Alpha & Omega Semiconductor

AOTF9N50 представляет собой MOSFET транзистор с полярностью N. Он относится к серии транзисторов, производимых компанией Alpha & Omega Semiconductor. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) - это тип полевого транзистора, который шиhоко используется в электронике для управления и усиления сигналов.
Вот основные характеристики AOTF9N50:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 38.5 W. Это указывает на максимальную мощность, которую транзистор может расеивать без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V. Это указывает на максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V. Это указывает на максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.6 V. Это указывает на минимальное напряжение, которое необходимо подать на затвор для включения транзистора.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A. Это указывает на максимальный ток, который может протекать через транзистор при включенном состоянии.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это указывает на максимальную температуру, которую транзистор может выдержать без повреждений.
AOTF9N50 является мощным N-канальным MOSFET транзистором с высоким предельно допустимым напряжением и током. Он может быть использован в различных электронных устройствах и системах, таких как источники питания, инверторы, силовые ключи и другие устройства, где требуется эффективное управление мощностью.