г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AOTF9N70 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AOTF9N70
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 700V 9A TO220-3F, N-Channel 700 V 9A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220F

Цена
134 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AOTF9N70.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
700 V
9A (Tc)
1.2Ohm @ 4.5A, 10V
4.5V @ 250µA
35 nC @ 10 V
1630 pF @ 25 V
10V
±30V
TO-220F
TO-220-3 Full Pack
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Tube
Active
Through Hole
AOTF9
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
1,000
50W (Tc)

AOTF9N70 является MOSFET-транзистором, производимым компанией Alpha & Omega Semiconductor. Вот основные характеристики этого транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 Вт. Это означает, что транзистор может выдерживать рассеивание мощности до 50 Вт без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 700 В. Это максимальное напряжение, которое можно применить между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое можно применить между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 4.5 В. Это напряжение, необходимое для активации транзистора и установления проводимости между стоком и истоком.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 9 А. Это максимальный постоянный ток, который можно пропустить через транзистор без повреждения.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная рабочая температура, при которой транзистор может работать без проблем.
Тип корпуса этого транзистора - TO-220F, который обеспечивает удобство монтажа и теплоотвода при использовании.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IXTX5N250
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 2500V 5A PLUS247-3, N-Channel 2500 V 5A (Tc) 960W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Подробнее
Артикул: MRF6S20010NR1
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2, RF Mosfet LDMOS 28 V 130 mA 2.17GHz 15.5dB 10W TO-270-2
Подробнее
Артикул: 1SNA176279R1700
Бренд: TE Connectivity
Описание: BJMI5-3,
Подробнее
Артикул: MBR4060PT
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO247AD, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 60 V 40A Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: S2A-13
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE GEN PURP 50V 1.5A SMB, Diode Standard 50 V 1.5A Surface Mount SMB
Подробнее
Артикул: MMBTA28
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 80V 0.8A SSOT3, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 800 mA 125MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее