г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AOTF9N90 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AOTF9N90
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 900V 9A TO220-3F, N-Channel 900 V 9A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220F

Цена
237 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AOTF9N90.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
900 V
9A (Tc)
1.3Ohm @ 4.5A, 10V
4.5V @ 250µA
58 nC @ 10 V
2560 pF @ 25 V
10V
±30V
TO-220F
TO-220-3 Full Pack
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Tube
Active
Through Hole
AOTF9
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
1,000
50W (Tc)

AOTF9N90 является MOSFET-транзистором с полярностью N. Он производится компанией Alpha & Omega Semiconductor.
Вот основные характеристики этого транзистора:
1. Тип транзистора: MOSFET (Металл-оксид-полупроводниковый транзистор)
2. Полярность: N (отрицательная)
3. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 Вт
4. Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 В
5. Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 В
6. Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 В
7. Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 А
8. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
9. Время нарастания (tr): 80 нс (наносекунд)
10. Выходная емкость (Cd): 152 пФ (пикофарад)
11. Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.3 Ом
12. Тип корпуса: TO-220F
Эти параметры позволяют определить, как данный транзистор может быть использован в электронных схемах. Например, он может быть применен в усилителях мощности, источниках питания, инверторах, и других устройствах, где требуется управление и передача электрической энергии.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: GS-060
Бренд: Global Specialties
Описание: BREADBRD DISTI STRIP 4X0.69" 2PC, Solderless Breadboard Distribution Strip (No Frame) 4.00" L x 0.69" W (101.6mm x 17.5mm)
Подробнее
Артикул: MJE172
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 80V 3A TO225AA, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 3 A 50MHz 1.5 W Through Hole TO-126
Подробнее
Артикул: 1356-6-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN BRASS1/4 HEX X 1, Hex Spacer Unthreaded - Brass 1.750" (44.45mm) 1 3/4" -
Подробнее
Артикул: ES3JB R5G
Бренд: Taiwan Semiconductor
Описание: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA, Diode Standard 600 V 3A Surface Mount DO-214AA (SMB)
Подробнее
Артикул: CM600DY-12NF
Бренд: Powerex
Описание: IGBT MOD 600V 600A 1130W, IGBT Module - Half Bridge 600 V 600 A 1130 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: 0306-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN STEEL9/16HD X, 5/16"-18 Knob Panel Screw Slotted Drive Steel
Подробнее