г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AOTF9N90 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AOTF9N90
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 900V 9A TO220-3F, N-Channel 900 V 9A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220F

Цена
237 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AOTF9N90.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
900 V
9A (Tc)
1.3Ohm @ 4.5A, 10V
4.5V @ 250µA
58 nC @ 10 V
2560 pF @ 25 V
10V
±30V
TO-220F
TO-220-3 Full Pack
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Tube
Active
Through Hole
AOTF9
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
1,000
50W (Tc)

AOTF9N90 является MOSFET-транзистором с полярностью N. Он производится компанией Alpha & Omega Semiconductor.
Вот основные характеристики этого транзистора:
1. Тип транзистора: MOSFET (Металл-оксид-полупроводниковый транзистор)
2. Полярность: N (отрицательная)
3. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 Вт
4. Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 В
5. Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 В
6. Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 В
7. Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 А
8. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
9. Время нарастания (tr): 80 нс (наносекунд)
10. Выходная емкость (Cd): 152 пФ (пикофарад)
11. Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.3 Ом
12. Тип корпуса: TO-220F
Эти параметры позволяют определить, как данный транзистор может быть использован в электронных схемах. Например, он может быть применен в усилителях мощности, источниках питания, инверторах, и других устройствах, где требуется управление и передача электрической энергии.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: VS-HFA30PB120HN3
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247AC, Diode Standard 1200 V 30A Through Hole TO-247AC Modified
Подробнее
Артикул: SPB80P06P
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3, P-Channel 60 V 80A (Tc) 340W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: 1173-6-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: 5_16-ROUND_SPACER, Round Spacer Unthreaded - Nylon 1.375" (34.93mm) -
Подробнее
Артикул: STS4DNFS30L
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 30V 4A 8SO, N-Channel 30 V 4A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: MJD44H11G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 80V 8A DPAK, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 8 A 85MHz 1.75 W Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: 30281-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CIRCUIT BOARD SUPPORT, Board Support /
Подробнее