AOU3N60 Alpha & Omega Semiconductor

AOU3N60 представляет собой MOSFET-транзистор. Вот основные характеристики данного транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 56.8 W. Это означает, что транзистор может рассеивать до 56.8 ватт энергии, преобразуемой в тепло при работе.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 600 V. Это максимальное значение напряжения, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 30 V. Это максимальное значение напряжения, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 5 V. Это напряжение, при котором транзистор начинает открываться и пропускать ток между стоком и истоком.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 2.5 A. Это максимальное значение тока, который может протекать через транзистор между стоком и истоком.
Транзистор AOU3N60, как и большинство MOSFET-транзисторов, имеет N-полярность, что означает, что напряжение на затворе относительно истока управляет током, протекающим между стоком и истоком. Он предназначен для работы с напряжением до 600 В и может пропускать ток до 2.5 А. Кроме того, он обладает достаточно низким сопротивлением сток-исток в открытом состоянии (3.5 Ом), что позволяет эффективно управлять токами и обеспечивать низкие потери мощности.